圣邦微電子推出SGMNQ36430，一款面向高效率電源管理應用的30V單N溝道功率MOSFET。該器件適用于CPU供電、DC/DC轉(zhuǎn)換器、負載開關及筆記本電池管理系統(tǒng)等典型應用場景。代理銷售圣邦微電子旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供SGMNQ36430：技術參數(shù)詳解、引腳圖及原理圖。如需SGMNQ36430產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

SGMNQ36430技術參數(shù)詳解

關鍵電性能參數(shù)與設計優(yōu)勢

圣邦微電子SGMNQ36430（訂購料號：SGMNQ36430TPDB8G/TR）具備極低導通電阻（RDS(on)），在VGS = 10V時，典型值為2.9mΩ，最大不超過3.6mΩ，顯著降低導通損耗，提升系統(tǒng)能效。其總柵極電荷（Qg）為22.7nC（VGS=10V），有效減少開關過程中的驅(qū)動損耗，適用于高頻開關環(huán)境。

動態(tài)特性方面，輸入電容（Ciss）為1028pF，輸出電容（Coss）為876pF，反向轉(zhuǎn)移電容（Crss）為57pF，這些參數(shù)表明該器件可在較高頻率下保持良好的響應能力，適合對開關速度有要求的設計場景。

極限工作能力與熱性能

SGMNQ36430支持最大漏源電壓（VDS）30V，在外殼溫度25°C條件下，最大連續(xù)漏極電流（ID）可達75A；在100°C時仍可維持47A，體現(xiàn)出較強的熱穩(wěn)定性。脈沖漏極電流（IDM）最高達160A，適用于短時大電流工況。雪崩電流（IAR）為38A，雪崩能量（EAR）達72.2mJ，具備一定的抗瞬態(tài)沖擊能力。

封裝與環(huán)境適應性

該器件采用PDFN-3.3×3.3-8L綠色封裝，尺寸僅為3.3mm × 3.3mm，節(jié)省PCB空間，適合高密度布局。工作溫度范圍為-55°C至+150°C，存儲溫度范圍相同，滿足工業(yè)級應用的嚴苛環(huán)境要求。產(chǎn)品符合RoHS標準且無鹵素，滿足環(huán)保法規(guī)要求，便于全球市場導入。

柵極控制特性

柵極閾值電壓（VGS(th)）范圍為1.2V至2.2V，在保證穩(wěn)定開通的同時避免誤觸發(fā)風險。柵極漏電流（IGSS）在±20V VGS條件下小于等于100nA，漏極截止狀態(tài)下的漏電流（IDSS）在零柵壓下小于等于1μA，確保靜態(tài)功耗可控。

SGMNQ36430引腳圖

SGMNQ36430原理圖

總結(jié)

SGMNQ36430憑借其低導通電阻、優(yōu)化的動態(tài)參數(shù)、高雪崩耐受能力以及緊湊封裝，成為工程師在高性能電源系統(tǒng)中實現(xiàn)高效、高可靠性設計的理想選擇。無論是服務器電源、便攜設備電源管理還是DC/DC變換模塊，SGMNQ36430均展現(xiàn)出良好的適配性和穩(wěn)定性。