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近日，國內功率半導體領軍企業揚杰科技正式推出全新N60V系列SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽柵溝槽）結構MOSFET產品:YJT2D0G06H和YJB2D3G06H。該系列產品基于工藝與結構的雙重優化，在導通電阻（Rdson）、柵極電荷（Qg）及抗沖擊能力等方面實現顯著提升，特別適用于對效率和功率密度要求嚴苛的清潔能源與工業電力電子系統。
隨著新能源產業的快速發展，功率器件在光伏逆變、儲能系統、電池管理系統（BMS）以及DC-DC轉換器等應用中扮演著越來越關鍵的角色。傳統MOSFET在高頻開關過程中往往面臨較大的導通損耗與開關損耗，影響整體系統效率與熱管理設計。揚杰科技此次推出的N60V系列MOSFET正是針對這些痛點進行技術突破。
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優化SGT工藝，降低損耗
N60V系列采用先進的SGT結構，有效抑制短溝道效應，并通過內部電場優化大幅降低導通電阻Rdson和柵極電荷Qg。這一改進不僅顯著減小了導通損耗和開關損耗，也提升了器件在高頻工況下的能效表現。
高耐溫能力，增強穩定性
該系列產品支持高達175℃的工作溫度，并具備優異的散熱性能，在持續高負載運行下仍能保持較低的溫升水平，從而提升系統長期運行的穩定性和可靠性。
多種大功率封裝，適配廣泛應用場景
N60V系列提供TOLL、TO-263等多種主流大功率封裝形式，具備良好的PCB兼容性，尤其適合用于需要高電流承載能力和良好散熱條件的大功率應用，如BMS主控開關、儲能系統的雙向DC-DC變換器以及光伏微型逆變器等。
強化EAS能力，提升可靠性
針對工控與能源類設備復雜多變的運行環境，揚杰科技對產品的雪崩能量吸收能力（EAS）進行了專項優化，使其在突發過壓、浪涌電流等極端條件下仍能保持穩定工作，進一步提高產品在實際應用中的耐用性與安全性。
N60V系列SGT MOSFET已在多個清潔能源領域展開應用驗證，涵蓋：
電池管理系統（BMS）：滿足高精度充放電控制需求；
光伏微逆系統：提升低光照條件下的能量轉化效率；
儲能電源系統：支持高效雙向DC-DC變換；
工業電源與服務器電源：為高密度、高效率供電架構提供核心器件支撐。
揚杰科技表示，未來將持續深耕功率半導體核心技術，圍繞“碳達峰、碳中和”戰略目標，加速推進高性能功率器件在新能源領域的落地應用，助力構建更加智能、高效、綠色的能源生態系統。
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