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近日，英飛凌科技推出全新EconoDUAL? 3半橋功率模塊系列，基于其增強型CoolSiC? MOSFET M1H芯片技術，為高功率密度與高效率需求的應用場景提供創新解決方案。該系列產品包括多個版本，涵蓋PressFIT引腳、預涂導熱界面材料（TIM）和Wave波浪結構基板設計，滿足從工業電機驅動到電動汽車充電系統的多樣化需求。
此次發布的模塊共有三個型號：
FF1MR12MM1H_B11：采用PressFIT引腳技術，便于無焊接安裝；
FF1MR12MM1HP_B11：在前者基礎上預涂TIM材料，提升熱傳導效率；
FF1MR12MM1HW_B11：集成Wave波浪結構基板，支持直接液冷方案，適用于高熱負荷應用。
模塊內置NTC溫度傳感器，實現精準的溫控管理；同時具備隔離基板設計，提高系統安全性與可靠性。
該系列模塊采用了英飛凌最新的M1H代SiC MOSFET芯片，具有以下顯著技術優勢：
低開關損耗：支持更高開關頻率（>7kHz），有助于減小磁性元件體積，提升系統功率密度；
卓越的柵極氧化層可靠性：確保長期穩定運行；
更高的柵極閾值電壓：增強了抗干擾能力與誤觸發防護；
優化的體二極管性能：在反向恢復過程中表現優異，降低損耗；
宇宙射線穩健性：適用于戶外或高空環境下的高可靠性場景；
最大工作結溫達175°C：具備良好的過載耐受能力。
此外，模塊采用螺母式功率端子，增強連接穩固性，并通過PressFIT引腳簡化PCB裝配流程，降低制造成本。
得益于其高頻、高效與高可靠性的綜合優勢，該模塊可廣泛應用于以下領域：
儲能系統：滿足快速充放電對功率器件的要求；
通用電機驅動器：適用于變頻、變壓控制場合；
不間斷電源（UPS）：提升能源轉換效率，延長備用時間；
暖通空調（HVAC）與電機控制：優化壓縮機等關鍵部件的能效；
電動汽車充電設備：支持更高功率密度的充電樁設計；
商用車輛、工程車輛及農用車輛：適應復雜工況下的電驅系統需求。
英飛凌此次推出的CoolSiC MOSFET模塊不僅延續了其在寬禁帶半導體領域的領先優勢，更通過模塊化設計與先進散熱方案的融合，為工程師提供了靈活且高效的功率解決方案。隨著全球對節能與可持續發展的要求日益提升，這一系列模塊有望在新能源、智能制造和智能交通等領域發揮更大作用。
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