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近日，英飛凌科技正式發布基于CoolSiC?技術的Easy B系列2kV SiC MOSFET模塊，包括FF6MR20W2M1HB70和F3L6MR20W2M1HB70兩款型號。該系列產品采用先進的寬禁帶（WBG）半導體材料，結合高性能氮化鋁陶瓷DCB基板，旨在為新能源、電動汽車及工業電源系統提供更高效率、更高可靠性的功率解決方案。
此次推出的Easy B系列模塊基于英飛凌成熟的EasyDUAL?和EasyPACK?封裝平臺，集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點技術，高度僅為12毫米，具備緊湊設計與高集成度優勢，適用于多種高密度功率轉換應用場景。
從技術參數來看，該模塊采用了增強型第一代M1H芯片，具有極低的導通與開關損耗，并支持最高175°C的過載運行溫度。其柵源電壓范圍較寬，有助于提升驅動兼容性與穩定性。此外，模塊內部結構優化設計顯著降低了雜散電感，從而進一步改善高頻切換下的電磁干擾表現，實現更高效的能量轉換。
在應用層面，這款SiC MOSFET模塊特別適用于直流-直流變換器、電動汽車充電設備、光伏逆變器以及儲能系統等場景。由于其出色的電氣性能和熱管理能力，能夠有效提升系統整體效率，降低對散熱系統的要求，同時支持更高的工作頻率與功率密度，助力終端設備實現小型化、輕量化設計。
值得一提的是，新模塊所搭載的高性能氮化鋁（AlN）DCB基板不僅提升了熱傳導效率，還增強了長期運行的穩定性，有利于延長系統使用壽命或在高功率條件下保持穩定運行。這一特性使其成為1500V直流母線系統的理想匹配方案，滿足當前高端能源基礎設施對高壓、高效、高可靠性日益增長的需求。
英飛凌表示，此次擴展其2kV產品組合，意在為客戶提供可擴展的功率模塊平臺，適配更多復雜工況下的多樣化需求。隨著碳化硅器件在新能源領域的持續滲透，該系列產品的推出將進一步鞏固英飛凌在寬禁帶功率半導體市場的領先地位，也為客戶在系統設計中帶來更大的靈活性與競爭優勢。
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