近日，英飛凌科技正式發(fā)布采用新型頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列器件基于第二代碳化硅（SiC）技術(shù)打造，面向包括電動汽車充電、光伏逆變器、不間斷電源（UPS）、工業(yè)驅(qū)動、人工智能服務(wù)器電源及智能電網(wǎng)等多個高功率密度應(yīng)用場景，提供更高效率、更低系統(tǒng)成本和更優(yōu)熱管理性能的解決方案。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹此系列產(chǎn)品優(yōu)勢及應(yīng)用領(lǐng)域。

CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET系列產(chǎn)品型號

IMCQ120R026M2H

IMCQ120R034M2H

IMCQ120R040M2H

IMCQ120R053M2H

IMCQ120R078M2H

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封裝革新：頂部散熱帶來多重優(yōu)勢

此次推出的CoolSiC?產(chǎn)品采用SMD（表面貼裝）形式的頂部散熱Q-DPAK封裝，突破傳統(tǒng)底部散熱方式的限制。該封裝通過將主要熱量從器件頂部導(dǎo)出至散熱器或風(fēng)道，優(yōu)化了PCB布局設(shè)計，顯著降低寄生電感與熱阻效應(yīng)，同時提升了整體系統(tǒng)的散熱效率。

相比傳統(tǒng)底部散熱方案，頂部散熱結(jié)構(gòu)簡化了PCB布局復(fù)雜度，減少對厚銅層和多層地平面的依賴，有助于實現(xiàn)更高的裝配自動化程度，并降低制造過程中的工藝難度和成本。

性能亮點：低導(dǎo)通損耗+優(yōu)化開關(guān)特性

新一代CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET在電氣性能方面表現(xiàn)出色：

極低RDS(on)（導(dǎo)通電阻），支持更高電流密度；

雜散電感小，提升開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)能力；

第二代SiC技術(shù)帶來優(yōu)化的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低開關(guān)損耗；

集成雪崩保護(hù)、短路保護(hù)與寄生導(dǎo)通抑制功能，增強(qiáng)器件魯棒性；

支持950V RMS電壓，滿足污染等級2的應(yīng)用環(huán)境要求；

封裝材料具備CTI（相對漏電起痕指數(shù)）>600V，爬電距離超過4.8mm，具備優(yōu)異的耐濕性和長期可靠性。

此外，該封裝采用XT擴(kuò)散焊技術(shù)，進(jìn)一步提升內(nèi)部連接的機(jī)械強(qiáng)度和熱傳導(dǎo)效率，確保器件在高溫工況下穩(wěn)定運(yùn)行。

多領(lǐng)域適配，助力高效電源系統(tǒng)升級

得益于其出色的性能和封裝靈活性，英飛凌新款CoolSiC? MOSFET可廣泛應(yīng)用于以下關(guān)鍵場景：

電動汽車充電樁：提升能效與功率密度，縮短充電時間；

太陽能逆變器：實現(xiàn)更高轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)可靠性；

UPS不間斷電源：降低運(yùn)行損耗，延長后備供電時間；

SSCB（固態(tài)接觸器）：支持快速響應(yīng)與無弧切換；

工業(yè)驅(qū)動與伺服系統(tǒng)：提高動態(tài)響應(yīng)與負(fù)載能力；

人工智能服務(wù)器電源：滿足AI芯片高功耗下的高效供電需求；

CAV（恒壓恒頻電源系統(tǒng)）：保障電力輸出穩(wěn)定性。

推動碳化硅應(yīng)用普及，降低總體擁有成本

英飛凌表示，此次推出的頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC? MOSFET不僅在性能上實現(xiàn)了跨越，更重要的是降低了客戶的設(shè)計門檻與系統(tǒng)BOM成本，推動碳化硅器件在中高功率市場的廣泛應(yīng)用。

隨著全球能源轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)，以及對高效、綠色、智能化電源系統(tǒng)的持續(xù)追求，英飛凌將持續(xù)拓展其SiC產(chǎn)品線，為工業(yè)客戶打造更具競爭力的電力電子解決方案。