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英飛凌科技近日發布了一款采用頂部散熱QDPAK封裝的CoolSiC? 1200V G2碳化硅（SiC）MOSFET半橋產品，旨在滿足工業驅動、電動汽車充電基礎設施、太陽能逆變器及不間斷電源（UPS）等高功率應用場景的需求。該系列產品在性能、熱管理與系統集成方面實現了多項技術突破。
英飛凌此次推出的四款型號分別為：IMSQ120R012M2HH、IMSQ120R026M2HH、IMSQ120R040M2HH 和 IMSQ120R053M2HH，均基于英飛凌領先的第二代CoolSiC? MOSFET技術打造，具備出色的開關性能和優異的品質因數（FOM），可顯著提升系統效率并降低整體損耗。
優化熱設計，提升系統集成能力
QDPAK是一種表面貼裝（SMD）頂部散熱封裝形式，相較于傳統的底部散熱方案，其最大的優勢在于簡化了PCB布局，并有效降低了寄生電感的影響。這種封裝方式不僅提升了散熱效率，還增強了器件在高功率密度應用中的可靠性。
此外，頂部散熱結構更易于實現自動化裝配流程，減少了人工干預，有助于降低制造成本。同時，得益于材料CTI（相比漏電起痕指數）超過600、爬電距離大于4.8mm的設計標準，該系列器件在高濕環境下的穩定性和安全性也得到了保障。
增強保護機制，提升系統魯棒性
為確保在復雜工況下的運行安全，該系列產品集成了多項保護功能，包括雪崩保護、短路保護以及防止寄生導通的PTO（Parasitic Turn-On）保護，進一步提升了系統的魯棒性與長期穩定性。
在電氣性能方面，該系列產品支持高達950V的有效電壓工作，適用于污染等級2的工業環境，具備廣泛的適用性與兼容性。
面向未來的高性價比解決方案
憑借其低RDS(on)、高功率密度和優異的熱管理能力，這些SiC MOSFET半橋模塊不僅能顯著改善系統能效，還可幫助客戶降低總體擁有成本（TCO）或物料清單（BOM）成本，是高性能電力電子系統設計的理想選擇。
英飛凌表示，隨著工業自動化、綠色能源和電動汽車市場的快速發展，對高效、可靠、緊湊型功率器件的需求將持續增長。該系列產品的推出，將進一步鞏固英飛凌在寬禁帶半導體領域的領導地位，助力客戶加速創新應用落地。
注：我司是代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件，如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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近日，英飛凌科技推出全新750V CoolSiC? 碳化硅（SiC）MOSFET分立器件，涵蓋車規級與工業級產品，導通電阻范圍從7mΩ至140mΩ，全面滿足車載充電、新能源系統及AI服務器電源等高可靠性、高效率應用場景的需求。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹英飛凌750V CoolSiC...【詳情+】
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