英飛凌科技近期推出了全新的CoolSiC? MOSFET 400V G2系列產品，該產品將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻相結合，顯著提升了系統成本效益。400V SiC MOSFET特別適用于2電平和3電平硬開關及軟開關拓撲，能夠提供卓越的功率密度和系統效率。主要應用領域包括人工智能服務器電源供應單元（PSU）、開關模式電源（SMPS）、電機控制、可再生能源與儲能系統以及D類音頻放大器中的功率轉換。

產品型號

CoolSiC? MOSFET 400V G2系列提供了多個型號，以滿足不同應用場景的需求：

IMBG40R011M2H

IMBG40R015M2H

IMBG40R025M2H

IMBG40R036M2H

IMBG40R045M2H

IMT40R011M2H

IMT40R015M2H

IMT40R025M2H

IMT40R036M2H

IMT40R045M2H

產品特點

優于650V SiC MOSFET的FOM：在相同條件下，400V SiC MOSFET表現出更好的優值因子（FOM）。

快速換流二極管：具有低Qfr值，有助于提高開關速度和效率。

低RDS(on)溫度系數：即使在高溫環境下，也能保持穩定的導通電阻。

柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V：確保了穩定的驅動特性。

單電源驅動：支持VGSoff=0V，簡化了電路設計。

100%經過雪崩測試：增強了器件的可靠性。

可控的開關速度：能夠在高dV/dt運行期間保持低過沖。

.XT互聯技術：提供一流的熱性能。

應用價值

高系統效率：優化的開關損耗和導通電阻提高了整體系統效率。

高功率密度設計：緊湊的封裝和高效的性能使系統設計更加緊湊。

高設計魯棒性：低RDS(on)溫度系數和100%雪崩測試確保了系統的穩定性和可靠性。

減少EMI濾波：低Qfr值和可控的開關速度有助于減少電磁干擾（EMI）。

適用于硬開關拓撲：在硬開關應用中表現出色。

競爭優勢

支持創新拓撲結構：如3L PFC（三電平功率因數校正）和ANPC（有源中點箝位）拓撲。

與高壓SiC MOSFET相比的優勢：

更低的Ron x A值

更高的FOM

RDS(on)與Tj曲線平坦，100°C時增幅最小

低Qgd、Qoss、fr和Eoss

高壓擺率控制、線性Coss和低Qfr

高柵極驅動閾值電壓Vth,typ=4.5V，支持0V-18V驅動

較低的米勒比，減輕Cgd/Vds/dt引起的寄生導通

目標應用

AI服務器電源

開關模式電源（SMPS）

電機控制

輕型電動汽車

叉車

電動飛機

固態斷路器

太陽能系統

能源儲存

D類音頻放大器

英飛凌CoolSiC? MOSFET 400V G2系列產品的推出，不僅為電力電子系統設計者提供了更多的選擇，還通過其卓越的性能和可靠性，推動了相關應用領域的技術進步。我司代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件，如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。