2024年11月5日，英飛凌科技的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊（包括EasyPACK? 3B封裝和62mm封裝）憑借其市場領先的產品設計和卓越的性能，榮獲2024年全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards, WEAA）“年度高性能無源/分立器件”（High Performance Passive/Discrete Devices of the Year）。英飛凌科技工業與基礎設施業務產品總監張明丹女士出席了本次頒獎典禮。

產品亮點

CoolSiC? MOSFET 2000V分立器件

封裝與電氣特性：采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。

技術特點：基于第一代增強型溝槽柵技術，該產品在電壓等級上實現了向上拓展，成為市面上首款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統。

散熱與防潮性能：憑借.XT擴散焊技術，這款產品可提供一流的散熱性能和高防潮性，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能確保系統的可靠性。

CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅模塊

封裝與技術：采用了增強型M1H Trench SiC MOSFET芯片技術，搭載EasyPACK? 3B封裝和62mm兩種封裝。其中，DF4-19MR20W3M1HF_B11是第一個采用EasyPACK? 3B封裝的2000V CoolSiC? MOSFET功率模塊，適用于1500V光伏系統。

性能優勢：實際應用中，通過使用該產品，兩電平可以取代三電平的結構，在輕載下，Boost升壓效率提高了1%，而在所有工作條件下，升壓效率平均提高了0.5%。它實現了更簡單的解決方案，減少了器件的數量，同時提高了功率密度，降低了1500 VDC應用的總系統成本。

62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊

優化性能：優化了VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓范圍等SiC MOS關鍵性能。該產品VGS(th)最大正負柵極源極電壓分別擴展至+23V和-10V，同時增大了推薦柵極驅動電壓的范圍，+15...+18V和0...-5V。

高溫性能：過載條件下的Tvjop最高可達175℃，與市場同類產品相比，62mm CoolSiC? MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊具備高頻、耐高壓、耐高溫、低損耗、抗輻射能力強等顯著優勢。

如需以上的產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

應用領域

英飛凌的CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模塊在多個領域具有顯著的應用優勢：

光伏發電：適用于1500V光伏系統，提高升壓效率，簡化系統設計，降低總系統成本。

工業電源：適用于高直流電壓母線系統，確保系統的可靠性和效率。

電動汽車：提高功率密度，減少器件數量，提高系統的整體性能。

儲能系統：提高系統的可靠性和效率，延長使用壽命

英飛凌CoolSiC? MOSFET 2000V碳化硅分立器件及模塊的獲獎，再次展現了英飛凌在電力電子領域的技術創新能力和行業領先地位。英飛凌將繼續致力于研發更多高性能、高可靠性的碳化硅產品，為行業客戶創造更大的價值。張明丹女士表示，英飛凌將不斷推動技術進步，為客戶提供更加高效、可靠的解決方案。