13年IC行業代理分銷 覆蓋全球300+品牌
現貨庫存，2小時發貨，提供寄樣和解決方案
24小時服務熱線: 0755-82539998
現貨庫存，2小時發貨，提供寄樣和解決方案
熱搜關鍵詞：
隨著可穿戴設備及微型可穿戴設備的普及，設計人員正面臨著如何在有限的空間內集成眾多功能的挑戰。尤其是在智能手表、耳塞和智能珠寶等設備中，空間效率顯得尤為重要。為了解決這一問題，設計人員現在可以選擇采用微型（0.63 x 0.33 x 0.25 mm）小信號 MOSFET，以節省空間并降低電池消耗。
DFN 封裝方案為空間效率帶來提升
在設計過程中，空間限制是設計師需要重點考慮的因素之一。無線耳塞就是一個很好的例子，其 PCB 空間非常有限，但卻需要集成諸多硬件組件，如麥克風、揚聲器和射頻器件用于藍牙通信。為了在如此有限的空間內實現各項功能，壓力不言而喻。
Nexperia 的 DFN0603 MOSFET 在小尺寸方面具有極強的競爭力，而且在其他方面也顯示出了顯著優勢。在 VGS 為 4.5 V 條件下，該 MOSFET 的 RDS(on) 典型值低至 122 mΩ，相較于市售的 DFN0604 產品，降低了約 74%。RDS(on) 的降低意味著即使在更高的開關頻率下，也能保持高效開關性能。
除了優異的導熱性能之外，Nexperia 還在該系列的部分產品中集成了靜電放電（ESD）保護，為微型解決方案提供了額外的靈活性。借助 Nexperia 在微型封裝領域的領先地位，采用 DFN0603 封裝的小信號 MOSFET 是向前邁出的一大步，它擁有同類產品中最佳的 RDS(on) 性能。
通過采用微型 MOSFET 技術，設計人員可以在保障功能的前提下，實現更高效的空間利用，助力可穿戴設備及智能珠寶行業的發展。如需Nexperia產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
Littelfuse宣布推出了IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器，旨在驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE低側柵極驅動器IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。內部負電荷調...【詳情+】
Nexperia（安世半導體）最近宣布推出了行業領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，這些產品采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，可供選擇的RDson值為30、40、60和80 mΩ。此次推出的產品是繼2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的新增產品，這將使Nexperia的Si...【詳情+】
電話
申請樣品
留言
咨詢