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Nexperia（安世半導體）最近宣布推出了行業領先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET產品，這些產品采用D2PAK-7表面貼裝器件（SMD）封裝，可供選擇的RDson值為30、40、60和80 mΩ。此次推出的產品是繼2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的新增產品，這將使Nexperia的SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括具有17、30、40、60和80 mΩ RDson值且封裝靈活的器件。
Nexperia此次推出的NSF0xx120D7A0產品針對市場對采用D2PAK-7等SMD封裝的高性能SiC開關需求不斷增長，這種開關在電動汽車（EV）充電樁、不間斷電源（UPS）以及太陽能和儲能系統（ESS）逆變器等各種工業應用中越來越受歡迎。這也進一步證明了Nexperia與三菱電機公司（MELCO）之間成功的戰略合作伙伴關系，兩家公司聯手將SiC寬帶隙半導體的能效和電氣性能推向了新的高度，同時還提高了該技術的未來生產能力，以滿足不斷增長的市場需求。
RDson是SiC MOSFET的一個關鍵性能參數，因為它會影響傳導功率損耗。然而，許多制造商通常只關注標稱值，而忽略了一個事實，即隨著設備工作溫度的升高，RDson相比室溫下的標稱值可能會增加100%以上，從而造成相當大的傳導損耗。Nexperia發現這也是目前市場上許多SiC器件性能受限的因素之一，而新推出的SiC MOSFET采用了創新的工藝技術特性，實現了業界領先的RDson溫度穩定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDson的標稱值僅增加了38%。
另外，嚴格的閾值電壓VGS(th)規格使這些MOSFET分立器件在并聯時能夠提供平衡的載流性能。較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件的穩健性和效率，同時還能放寬對續流操作的死區時間要求。如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
2023年，Nexperia從多個角度高度關注綠色能源轉型。在公司不懈的努力下，環境、社會和治理（ESG）原則得到了進一步鞏固，為更加可持續的未來奠定了基礎。同時，Nexperia還取得了多項重要成就，標志著其在環保領域的積極探索與實踐。Nexperia發布了首份ESG報告，明確了對環境、社會和治理的承...【詳情+】
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