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最新報道顯示,英偉達計劃從今年9月開始大規模采購三星電子生產的12層HBM3E內存,后者將獨家向英偉達供應這一創新產品。在最近舉行的GTC 2024大會上,英偉達公司的首席執行官黃仁勛(Jensen Huang)甚至在三星電子的12層HBM3E實物產品上簽下了“黃仁勛認證(Jensen Approved)”的名字。與此同時,由于一些工程問題,SK海力士未能推出12層HBM3E產品,但他們計劃從本月末開始批量生產8層HBM3E產品。
三星獨家供應英偉達12層HBM3E內存
今年2月27日,三星電子宣布成功研發出業界首款36GB 12層HBM3E DRAM內存。據介紹,HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的帶寬和史無前例的36GB容量,相較于8層HBM3 8H內存,其帶寬和容量提升超過50%。
此外,與8層堆疊相比,12層HBM3E內存的AI訓練速度平均提高了34%,同時推理服務用戶數量也可以增加超過11.5倍。
在之前的GTC 2024大會上,英偉達正式發布了B200和GB200系列芯片。據黃仁勛介紹,B200芯片擁有2080億個晶體管,采用臺積電4NP工藝制程,能夠支持高達10萬億個參數的AI大模型,并且單個GPU就能提供20 petaflops的AI性能。