隨著人工智能（AI）技術(shù)的迅猛發(fā)展，其對計算能力的需求不斷攀升，促使數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施向更高效、可擴展和可持續(xù)的方向進化。作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，羅姆公司正通過提供包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的多種功率元器件，支持英偉達全新的800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)，標志著數(shù)據(jù)中心設(shè)計的重大轉(zhuǎn)變。

功率半導(dǎo)體技術(shù)的突破

在當前的AI基礎(chǔ)設(shè)施升級過程中，羅姆不僅提供了傳統(tǒng)的Si MOSFET產(chǎn)品，還推出了性能更為卓越的寬禁帶半導(dǎo)體解決方案。例如，“RY7P250BM”這款100V功率MOSFET，因其超低導(dǎo)通電阻（僅1.86mΩ）和業(yè)界領(lǐng)先的SOA（安全工作區(qū)），被全球領(lǐng)先的云平臺企業(yè)認證為推薦組件。該器件專為AI服務(wù)器中的熱插拔電路設(shè)計，能夠在高密度和高可用性的環(huán)境中顯著降低電力損耗并提升系統(tǒng)可靠性。

SiC與GaN：新一代數(shù)據(jù)中心的理想選擇

羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大電流應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色，能夠有效減少工業(yè)及數(shù)據(jù)中心的能量損耗。特別是在英偉達800V HVDC架構(gòu)中，羅姆的SiC MOSFET有助于將電網(wǎng)的13.8kV交流電直接轉(zhuǎn)換為800V直流電，從而簡化了電力轉(zhuǎn)換流程，并減少了銅材使用量，降低了整體成本。此外，羅姆推出的EcoGaN?系列產(chǎn)品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT及其配套的柵極驅(qū)動器，憑借出色的介電擊穿強度、低導(dǎo)通電阻以及超高速開關(guān)特性，在100V至650V電壓范圍內(nèi)展現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

Nano Pulse Control?技術(shù)加持

羅姆自主研發(fā)的Nano Pulse Control?技術(shù)進一步提升了GaN產(chǎn)品的開關(guān)性能，使得脈沖寬度縮短至最低2ns，滿足了AI數(shù)據(jù)中心對于小型化和高效電源系統(tǒng)的需求。

高效模塊化解決方案

除了單個功率元件外，羅姆還推出了搭載第4代SiC芯片的頂部散熱型HSDIP20等高輸出功率SiC模塊產(chǎn)品。這些1200V SiC模塊針對LLC方式的AC-DC轉(zhuǎn)換器和一次DC-DC轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了高效率、高密度的電力轉(zhuǎn)換。其卓越的散熱性和可擴展性使其成為構(gòu)建兆瓦級AI工廠的理想選擇。

行業(yè)合作共促發(fā)展

實現(xiàn)800V HVDC基礎(chǔ)設(shè)施需要整個行業(yè)的共同努力。羅姆作為這一進程中的關(guān)鍵參與者，不僅與英偉達等科技巨頭緊密合作，還將與數(shù)據(jù)中心運營商及電源制造商展開深度協(xié)作。通過共享其在SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的先進技術(shù)，羅姆致力于打造一個更加綠色、高效的數(shù)字化社會。

總之，羅姆憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積累和技術(shù)優(yōu)勢，正在為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供強有力的支持，推動著整個行業(yè)向著更高能效和可持續(xù)發(fā)展的目標邁進。