近日，全球領(lǐng)先的分立半導(dǎo)體與無(wú)源電子元件制造商Vishay宣布推出一款基于無(wú)引線(xiàn)鍵合（Bonded Wireless, BWL）封裝技術(shù)的全新80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET——SiEH4800EW。該器件憑借行業(yè)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的熱管理性能，為工業(yè)類(lèi)高功率密度應(yīng)用提供了高效、緊湊的解決方案。如需SiEH4800EW產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。

性能亮點(diǎn)：更低導(dǎo)通電阻，更優(yōu)熱設(shè)計(jì)

在10V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下，SiEH4800EW的典型導(dǎo)通電阻（RDS(on)）僅為0.88mΩ，較同尺寸競(jìng)品降低了約15%。這一突破性的低導(dǎo)通電阻顯著減少了傳導(dǎo)損耗，從而提升了系統(tǒng)整體效率。此外，其最大結(jié)到殼熱阻（RthJC）為0.36°C/W，比同類(lèi)產(chǎn)品低18%，有助于改善器件在高負(fù)載下的熱表現(xiàn)，延長(zhǎng)使用壽命。

該MOSFET采用8mm x 8mm的緊湊型表面貼裝封裝，厚度僅1mm，相較傳統(tǒng)的TO-263封裝方案，PCB占用面積減少達(dá)50%，非常適用于對(duì)空間敏感的設(shè)計(jì)場(chǎng)景，如電機(jī)控制、機(jī)器人及電池管理系統(tǒng)等。

封裝創(chuàng)新：提升焊接可靠性與電流能力

SiEH4800EW采用了融合焊盤(pán)設(shè)計(jì)，將源極焊盤(pán)的可焊面積擴(kuò)大至3.35 mm2，是傳統(tǒng)PIN腳焊接面積的四倍。這一設(shè)計(jì)有效降低了PCB與器件之間的電流密度，顯著降低電遷移風(fēng)險(xiǎn)，提高了長(zhǎng)期運(yùn)行的穩(wěn)定性與可靠性。

此外，該器件還具備增強(qiáng)型側(cè)翼焊錫吸附結(jié)構(gòu)，不僅提升了焊接工藝的良率，也便于通過(guò)目視方式檢測(cè)焊點(diǎn)質(zhì)量，進(jìn)一步保障了制造過(guò)程中的可檢性和一致性。

應(yīng)用廣泛，支持高溫與高頻工況

SiEH4800EW適用于多種高要求工業(yè)場(chǎng)景，包括同步整流、Oring電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器、電動(dòng)工具、焊接設(shè)備、等離子切割機(jī)、電池管理系統(tǒng)、機(jī)器人以及3D打印機(jī)等。得益于其BWL封裝結(jié)構(gòu)，該MOSFET的寄生電感被降至最低，從而支持更高的開(kāi)關(guān)頻率和更大的電流承載能力。同時(shí)，器件可在高達(dá)+175°C的工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行，滿(mǎn)足嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求。

在環(huán)保與品質(zhì)方面，SiEH4800EW符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素，并經(jīng)過(guò)100% Rg測(cè)試和雪崩能量測(cè)試（UIS），確保出廠(chǎng)產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。

結(jié)語(yǔ)

隨著工業(yè)設(shè)備向小型化、高效化方向發(fā)展，功率MOSFET在系統(tǒng)能效和可靠性中扮演著越來(lái)越關(guān)鍵的角色。Vishay推出的這款SiEH4800EW，憑借其出色的電氣性能、創(chuàng)新的封裝技術(shù)和廣泛的適用性，為工程師在電源設(shè)計(jì)中提供了新的高性能選項(xiàng)，有望在多個(gè)高端工業(yè)領(lǐng)域加速落地應(yīng)用。