近日，Vishay 推出了全新的 Gen 4.5 650V E 系列功率 MOSFET，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用帶來(lái)了更高的效率和功率密度。與上一代產(chǎn)品相比，該系列中的 N 溝道 SiHK050N65E 型號(hào)在導(dǎo)通電阻方面實(shí)現(xiàn)了顯著降低，降幅達(dá)到 48.2%，同時(shí)其電阻和柵極電荷乘積（FOM）——這一在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中至關(guān)重要的優(yōu)值因數(shù)——也降低了 65.4%。

Vishay 的多種 MOSFET 技術(shù)能夠支持電源轉(zhuǎn)換過(guò)程的所有階段，從高壓輸入到高科技設(shè)備所需的低壓輸出。SiHK050N65E 以及 Gen 4.5 650V E 系列中的其他器件，能夠滿足電力系統(tǒng)架構(gòu)中功率因數(shù)校正（PFC）和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器模塊這兩個(gè)早期階段對(duì)效率和功率密度的改進(jìn)需求。這些器件的典型應(yīng)用包括服務(wù)器、邊緣計(jì)算和超級(jí)計(jì)算機(jī)、UPS、高強(qiáng)度放電（HID）燈和熒光燈鎮(zhèn)流器、通信開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）、太陽(yáng)能逆變器、焊接設(shè)備、感應(yīng)加熱系統(tǒng)、電動(dòng)驅(qū)動(dòng)和電池充電器等。

SiHK050N65E 基于 Vishay 最新的高能效 E 系列超結(jié)技術(shù)，能夠在 10V 下實(shí)現(xiàn)低至 0.048Ω 的典型導(dǎo)通電阻，適用于超過(guò) 6kW 的高功率應(yīng)用。此外，該 650V 器件的擊穿電壓額外增加了 50V，使其能夠在 200VAC 至 277VAC 的輸入電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，并符合開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目的開(kāi)放機(jī)架 V3（ORV3）標(biāo)準(zhǔn)。其超低的柵極電荷僅為 78nC，提供了優(yōu)越的 FOM 值 3.74mΩ·nC，這對(duì)于減少導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要，從而進(jìn)一步節(jié)省能源并提升效率，使器件能夠滿足服務(wù)器電源中特定的鈦效率要求，或者達(dá)到 96% 的峰值效率。

為了在硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌ㄈ?PFC 電路和雙開(kāi)關(guān)前饋設(shè)計(jì)）中優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能，新發(fā)布的 MOSFET 具備較低的有效輸出電容值，Co(er) 為 167pF，Co(tr) 為 1119pF。器件在電阻乘以 Co(er) 的 FOM 上達(dá)到了業(yè)界新低的 8.0mΩ·pF。SiHK050N65E 采用 PowerPAK?10×12 封裝形式，并配備 Kelvin 連接以降低柵極噪聲，同時(shí)提高 dv/dt 的抗擾性。此外，該 MOSFET 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)且無(wú)鹵素，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)以承受雪崩模式下的過(guò)壓瞬態(tài)，100% 的 UIS 測(cè)試保證了其極限值。

Vishay 的 Gen 4.5 650V E 系列功率 MOSFET 的推出，為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供了更高效、更高功率密度的解決方案。SiHK050N65E 型號(hào)憑借其顯著降低的導(dǎo)通電阻和 FOM，以及優(yōu)化的開(kāi)關(guān)性能，能夠滿足多種應(yīng)用對(duì)效率和功率密度的嚴(yán)格要求，為電源轉(zhuǎn)換過(guò)程的各個(gè)階段提供了可靠的支持。

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