2025年2月28日，士蘭微電子位于廈門的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目（廈門士蘭集宏一期）正式封頂。在封頂儀式上，海滄臺商投資區管委會副主任眭國瑜、士蘭微電子董事會秘書兼高級副總裁陳越以及中建三局（福建）投資建設有限公司總經理王召坤分別致辭，共同慶祝這一重要里程碑。

項目背景與發展歷程

士蘭集宏項目于2024年6月18日正式開工，經過8個月緊張有序的建設，今天終于迎來了封頂儀式。該項目嚴格按照事先制定的重大里程碑節點準時完成，并一次性實現了各棟號的全面封頂。士蘭微電子長期以來堅持走IDM（設計制造一體化）的發展道路，不斷積累技術和工藝經驗，推動和引領著國內功率半導體芯片行業的發展。

技術創新與市場應用

士蘭微電子在廈門制造基地建設的車規級6英寸SiC MOSFET產線自2022年起已量產三年，基于自主研發和生產的二代SiC主驅芯片開發的高性能SiC功率模塊已經大批量應用于新能源汽車，并獲得了頂級客戶的認可。此外，士蘭微電子已完成四代SiC芯片的研發，新一代SiC功率模塊也將于今年實現大規模量產。

陳越表示，士蘭集宏項目的建成不僅體現了士蘭微電子“集中意志和力量，努力實現超越式發展，爭取早日成為具有世界一流競爭力的綜合性半導體公司”的宏大愿景，還標志著公司在技術創新和市場應用方面的重大突破。

投資規模與未來規劃

士蘭集宏一期項目總投資達70億元，計劃在今年年底實現初步通線，并在明年一季度正式投產。預計到2028年底，該項目將形成年產42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產能力。這將極大地滿足國內新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁、AI服務器電源、大型白電等功率逆變產品提供高性能的碳化硅芯片。

項目的建成不僅有助于提升國內功率半導體行業的整體水平，還將促進8英寸碳化硅襯底及相關工藝裝備的協同發展。士蘭微電子通過持續的技術創新和產業布局，致力于解決國內高端功率半導體芯片依賴進口的問題，推動國內半導體產業鏈的完善和發展。

社會效益與行業影響

士蘭集宏項目的順利推進對于國內半導體行業具有重要意義。首先，它填補了國內在高端碳化硅功率器件領域的空白，提升了我國在該領域的自主創新能力。其次，隨著項目的逐步投產，將有效緩解國內市場對高性能碳化硅芯片的需求壓力，降低相關產品的進口依賴度。

此外，該項目的實施還將帶動上下游產業鏈的發展，包括原材料供應、設備制造、封裝測試等多個環節，從而形成一個完整的產業生態鏈。這對于提升國內半導體產業的整體競爭力，推動綠色能源和智能制造的發展具有深遠的影響

士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目的封頂，標志著公司在技術創新和產業化道路上邁出了堅實的一步。該項目不僅展示了士蘭微電子在功率半導體領域的強大實力，也為國內半導體行業的發展注入了新的動力。在未來幾年內，隨著項目的逐步投產和產能的不斷提升，士蘭微電子有望成為全球領先的綜合性半導體公司之一，為國家的科技進步和經濟發展作出更大貢獻。