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全球知名半導體制造商羅姆(ROHM)的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產品GaN HEMT,被日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所(Murata Power Solutions)用于其AI服務器電源。這款高效能的GaN HEMT不僅實現了小型化設計,還顯著提升了電源單元的工作效率,預計該電源單元將于2025年開始量產。
近年來,隨著人工智能(AI)和增強現實(AR)在物聯網(IoT)領域的快速發展,全球數據通信量持續增加。特別是使用AI進行一次查詢所消耗的電量比普通網頁搜索高出數倍,這對處理這些查詢的高速運算設備供電的AI服務器電源提出了更高的效率要求。具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助于電源高效率工作和外圍元器件小型化而備受關注。
Murata Power Solutions的技術專家Dr. Joe Liu表示:“我們非常高興通過使用羅姆的GaN HEMT,能夠設計出更高效率和更高功率密度的AI服務器電源單元?!彼M一步解釋道,GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性,使得開關損耗最小化,提高了開關轉換器的工作頻率,并削減了磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT不僅在性能方面極具競爭力,而且可靠性也非常高,為他們的5.5kW輸出電源單元帶來了顯著的效果。
羅姆LSI事業本部Power Stage產品開發部部長山口雄平表示:“羅姆的EcoGaN?能夠被電源領域的全球領導者Murata Power Solutions采用,我們深感榮幸?!彼赋觯@次采用的GaN HEMT具有行業領先的開關性能,且采用了散熱性能優異的TOLL封裝,有助于Murata Power Solutions的電源單元實現更高功率密度和更高效率。未來,羅姆將繼續與村田制作所合作,共同促進電源的小型化和效率提升,為社會電力供需緊張問題貢獻力量。
Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”系列包括多種高功率密度的產品,如3.2kW的M-CRPS封裝電源D1U T-W-3200-12-HB4C(輸出12V版)和D1U T-W-3200-54-HB4C(輸出54V版),以及新增的AI服務器用5.5kW電源D1U67T-W-5500-50-HB4C。這些電源單元的轉換效率非常高,可以滿足80 Plus Titanium和開放計算產品的最嚴格要求,支持N+M冗余工作,提高系統可靠性,適合最新的GPU服務器供電。此外,其低矮的1U尺寸有助于減少系統占地面積,提供高效可靠的電力供應。
EcoGaN?是羅姆公司推出的一種高性能GaN器件,旨在更大程度地發揮GaN的性能,助力應用產品進一步節能和小型化。EcoGaN?系列產品有助于應用產品降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。通過這些技術進步,EcoGaN?不僅提高了電源效率,還促進了系統的緊湊性和可靠性,適用于各種高性能應用場景。
隨著AI和大數據應用的不斷擴展,對高效能電源的需求日益增長。羅姆的EcoGaN?技術通過其卓越的性能和可靠性,成功助力村田制作所的AI服務器電源單元實現了小型化和高效率工作。雙方的合作不僅推動了電源技術的進步,也為解決電力供需緊張的社會課題貢獻了力量。未來,隨著技術的不斷演進,我們可以期待更多基于EcoGaN?的創新應用出現,為各行各業帶來更加高效和可靠的電力解決方案。