ST意法半導體引領電源技術創新，推動AI服務器電源向更高功率密度發展

來源：ST意法半導體| 發布日期：2024-12-15 18:00:02 瀏覽量：

隨著科技的進步和市場需求的變化，電源技術也在不斷革新。去年，電源廠商的主要焦點是3千瓦ORv3的設計；而今年，這一目標已提升至5.5千瓦，同時M-CRPS服務器電源在3千瓦功率水平上也展現出了不同的平臺特色。其中，ORv3主要支持Nvidia的開放機架平臺，因此其設計重點在于提高功率輸出；相比之下，M-CRPS則更注重于提升功率密度。

第三代半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），輔以ST意法半導體的電隔離柵極驅動器STGAP，在這些領域中扮演了至關重要的角色。尤其是在高頻應用方面，它們能夠顯著改善效率并減少損耗。此外，STM32微控制器單元（MCU）通過智能控制電力分配，可以實時適應負載波動，從而進一步優化性能。

ST意法半導體引領電源技術創新推動AI服務器電源向更高功率密度發展

對于AI服務器而言，第三代半導體的重要性尤為突出。它不僅能夠在高頻下穩定工作，還為AI服務器的發展提供了巨大潛力。目前市場上已經出現了探索8千瓦、8.5千瓦甚至10千瓦或12千瓦等更高功率輸出的設計案例。值得注意的是，盡管功率大幅增加，但這些高功率設計并未導致體積增大，這意味著在相同的物理空間內實現了更高的功率密度。

當功率密度得到提升后，如何有效管理熱量成為另一個關鍵挑戰。在此背景下，碳化硅因其出色的耐高溫特性，在高功率密度及高溫操作環境中獲得了廣泛應用。與此同時，氮化鎵憑借其在多相轉換架構中的優勢，有助于縮小尺寸并提高密度，預計將在未來發揮更加重要的作用。隨著被動元件技術的進步，電源設計將從單相擴展到多相轉換架構，這將進一步促進電源系統的緊湊性和高效性。

總之，隨著第三代半導體材料的應用以及相關技術的不斷發展，AI服務器電源正朝著更高功率、更小尺寸和更好散熱的方向邁進，而ST意法半導體將繼續在這場變革中扮演領導者的角色。

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