在年度全球電子成就獎（World Electronics Achievement Awards）的頒獎典禮上，安世半導體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導體領域的卓越表現，榮獲“年度功率半導體產品獎”。這一獎項不僅是對安世半導體在功率半導體市場領導地位的認可，更是對其產品競爭力和技術創新能力的高度肯定。安世半導體碳化硅高級產品經理董建云代表公司出席了頒獎典禮，并領取了這一榮譽獎項。

全球電子成就獎簡介

全球電子成就獎旨在表彰那些對推動全球電子產業發展做出杰出貢獻的企業和個人。獲獎企業和產品均是各自領域的佼佼者，充分展示了他們在行業內的領導地位和卓越表現。此次安世半導體的獲獎，再次證明了其在全球功率半導體市場的領先地位。

獲獎產品介紹

安世半導體于2024年5月推出的NSF030120D7A0是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET。該產品采用了成熟的7引腳TO-263塑料封裝，適用于表面貼裝PCB技術。NSF030120D7A0在多個關鍵性能參數上表現出色，尤其是在RDS(on)溫度穩定性和高開關速度方面。

RDS(on) 溫度穩定性：RDS(on)是影響傳導功率損耗的關鍵參數。通過創新的工藝技術，Nexperia的SiC MOSFET實現了業界領先的溫度穩定性。在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)的標稱值僅增加了38%，遠低于市場上的其他SiC器件。

高開關速度：NSF030120D7A0具備高開關速度，能夠顯著降低開關損耗，提高整體系統效率。

高短路耐用性：該產品具有出色的短路耐用性，能夠在極端條件下保持穩定運行，確保系統的可靠性和安全性。

VGS(th)閾值電壓：NSF030120D7A0的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低，這使得在并聯工作時，無論是在靜態還是動態條件下，都能實現非常均衡的載流性能。

低體二極管正向電壓(VSD)：較低的體二極管正向電壓有助于提高器件的穩健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續流操作的死區時間要求。

如需NSF030120D7A0產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

應用領域

NSF030120D7A0因其出色的性能，特別適用于電動汽車充電、基礎設施、光伏逆變器和電機驅動等領域。這些應用對功率效率和系統可靠性要求極高，而NSF030120D7A0的卓越性能使其成為這些領域的首選產品。

未來展望

在IIC Shenzhen 2024同期舉行的高效電源管理及寬禁帶半導體技術論壇上，安世半導體碳化硅高級產品經理董建云發表了關于Nexperia碳化硅技術的專題報告，詳細介紹了如何通過碳化硅技術賦能電氣化和綠色節能的未來。安世半導體將繼續致力于技術創新，推出更多高性能、高可靠性的功率半導體產品，為全球電子產業的發展貢獻力量。