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英飛凌科技股份公司今日宣布，已成功開發出全球首個300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。作為全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業，英飛凌將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。與200mm晶圓相比，300mm晶圓技術不僅在技術上更為先進，由于晶圓直徑的增加，每片晶圓上的芯片數量增加了2.3倍，生產效率也顯著提高。
基于GaN的功率半導體正在工業、汽車、消費、計算和通信應用中迅速普及，包括人工智能系統電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統等。先進的GaN制造工藝能夠提升器件性能，為終端客戶的應用帶來更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，300mm制造工藝的可擴展性還為供應鏈提供了更高的穩定性。
英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示：“這一重大成功是英飛凌創新實力和全球團隊辛勤工作的結晶，進一步確立了我們在GaN和功率系統領域的創新領導地位。這一技術突破將推動行業變革，使我們能夠充分挖掘GaN的潛力。在收購GaN Systems近一年后，我們再次展示了在快速增長的GaN市場成為領導者的決心。”
英飛凌在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導體晶圓廠中，利用現有的300mm硅生產設備的整合試產線，成功生產出300mm GaN晶圓。英飛凌正通過現有的300mm硅和200mm GaN的成熟產能發揮其優勢，同時根據市場需求進一步擴大GaN產能。憑借300mm GaN制程技術，英飛凌將推動GaN市場的持續增長。預計到2030年末，GaN市場規模將達到數十億美元。
這一開創性的技術成就凸顯了英飛凌在全球功率系統和物聯網半導體領域的領導地位。英飛凌正通過布局300mm GaN技術，打造更具成本效益、能夠滿足客戶系統全方位需求的產品，以加強現有解決方案并使新的解決方案和應用領域成為可能。2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向公眾展示首批300mm GaN晶圓。
由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300mm GaN技術的一大優勢是可以利用現有的300mm硅制造設備。英飛凌現有的大批量300mm硅生產線非常適合試產可靠的GaN技術，既加快了實現的速度，又能有效利用資本。300mm GaN的全規模化生產將有助于實現GaN與硅的成本在同一RDS(on)級別能夠接近，這意味著同級別的硅和GaN產品的成本將能夠持平。
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