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基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化，旨在提高服務器、電源、快速充電器、USB-PD以及其他電信、電機控制和工業設備中的效率和性能。
Nexperia發現，在比較MOSFET的開關性能時，除了低QG(tot)和低QGD外，Qrr（反向恢復電荷）也是一個重要的參數。通過專注于降低Qrr，Nexperia成功地減少了其NextPower系列80/100 V MOSFET產生的尖峰水平，進而降低了它們產生的電磁干擾(EMI)量。這種改進有助于減少在產品后期階段未能通過電磁兼容性(EMC)測試而需要重新設計的情況，從而避免了添加額外外部組件所帶來的高昂成本。
與市場上現有的器件相比，這些新MOSFET的導通電阻(RDS(on))降幅高達31%。Nexperia計劃在今年晚些時候進一步加強其NextPower 80/100 V產品組合，發布一款新的LFPAK88 MOSFET，該器件在80 V下的RDS(on)可低至1.2 mΩ。此外，Nexperia還將在產品組合中引入功率密集型CCPAK1212。
為了支持這些器件的設計導入和驗證，Nexperia提供了屢獲殊榮的交互式數據手冊，為工程師提供了一個全面且易于使用的工具，幫助他們分析器件的行為。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等，以滿足不同應用的需求。
通過這些新推出的MOSFET，Nexperia旨在為客戶提供高性能、高效率的解決方案，同時降低最終用戶的成本和復雜性，為市場帶來顯著的價值。
隨著電子工程領域的不斷發展，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為電力電子的核心組件，其應用也日益多元化和復雜化。Nexperia，作為半導體行業的領導者，深刻理解不同應用場景下MOSFET需求的獨特性，推出了系列應用專用MOSFET，旨在通過優化關鍵參數，為特定領域提供最佳匹配的解決方...【詳情+】
Nexperia不斷豐富其增長中的PMIC產品組合，最新加入了0.5 - 5.5 V負載開關IC。在迅速發展的電子電路設計領域，選擇合適的電源開關是至關重要的決策之一，它不僅極大地影響著系統設計的性能和效率，還涉及到總體空間的優化。負載開關IC在電子系統中扮演著關鍵角色，是用于電源管理的非分...【詳情+】
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