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功率級(jí)內(nèi)部的MOSFET在電路中扮演著至關(guān)重要的角色，其能否承受高電流并對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的效率產(chǎn)生顯著影響。在晶體管上，導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗共同構(gòu)成了功率的耗散。為了在這兩者之間取得平衡，需要考慮導(dǎo)通電阻RDS(ON)、柵極電荷以及寄生元件等主要參數(shù)。
安森美T10技術(shù)是一種用于低壓和中壓MOSFET的新型技術(shù)，采用屏蔽柵極溝道設(shè)計(jì)，具有超低的QG和極低的RDS(ON) < 1m特性。通過(guò)其先進(jìn)的軟恢復(fù)體二極管（Qrr, Trr），T10技術(shù)能夠減少振鈴、過(guò)沖和噪聲，實(shí)現(xiàn)了性能和恢復(fù)特性之間的完美平衡。
T10屏蔽柵極溝槽技術(shù)主要應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，適用于各種需要40V和80V MOSFET的新型48V和傳統(tǒng)12V應(yīng)用。該技術(shù)旨在優(yōu)化效率，降低輸出電容和關(guān)鍵性能指標(biāo)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的RDS(ON)和QG。例如，40V溝槽技術(shù)產(chǎn)品NVMFWS0D4N04XM的RDS(ON)可降至0.42m?，采用了緊湊的5x6封裝。針對(duì)80V的選項(xiàng)NVBLS0D8N08X，RDS(ON)可達(dá)到0.79m?。對(duì)于低壓FET來(lái)說(shuō)，襯底電阻可能占據(jù)RDS(ON)的相當(dāng)比例。
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，采用具有較低電阻率的襯底和更薄晶圓變得越來(lái)越關(guān)鍵。在T10技術(shù)下，安森美成功減小了晶圓的厚度，將40V MOSFET中襯底對(duì)RDS(ON)的影響從約50%降低到22%。更薄的襯底也提高了器件的熱性能，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品的整體性能。
近年來(lái)，隨著人工智能計(jì)算需求的急劇增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心的能耗問(wèn)題日益凸顯。為滿足這一巨大的處理需求，數(shù)據(jù)中心的電力消耗不斷攀升，提高能效性已成當(dāng)務(wù)之急。搭載人工智能的計(jì)算引擎相較于常規(guī)搜索引擎需要消耗超過(guò)10倍的電力，據(jù)預(yù)測(cè)，全球數(shù)據(jù)中心的電力需求未來(lái)將達(dá)到約1,000太瓦時(shí)（TWh），...【詳情+】
安森美（ON Semiconductor）是一家致力于滿足電氣化、可再生能源和人工智能領(lǐng)域需求的先進(jìn)功率半導(dǎo)體公司。最近，該公司宣布在捷克共和國(guó)建設(shè)先進(jìn)的SiC制造工廠，以生產(chǎn)智能電源半導(dǎo)體，提高電動(dòng)汽車、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的能效。這一決定被認(rèn)為是安森美的戰(zhàn)略舉措，旨在滿...【詳情+】
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