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近年來，隨著人工智能計算需求的急劇增長，數據中心的能耗問題日益凸顯。為滿足這一巨大的處理需求，數據中心的電力消耗不斷攀升，提高能效性已成當務之急。搭載人工智能的計算引擎相較于常規搜索引擎需要消耗超過10倍的電力，據預測，全球數據中心的電力需求未來將達到約1,000太瓦時（TWh），問題日益嚴峻。
在這個背景下，安森美推出了最新一代T10 PowerTrench?系列和EliteSiC 650V MOSFET，為數據中心應用提供了強大的解決方案。這一產品組合在更小的封裝尺寸下提供了卓越的能效和卓越的熱性能。采用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案，數據中心可降低約1%的電力損耗。若在全球數據中心范圍內推廣應用，每年可減少約10太瓦時的能源消耗，相當于為數百萬戶家庭提供全年的用電量。
EliteSiC 650V MOSFET具有出色的開關性能和較低的器件電容，在數據中心和儲能系統中實現更高的效率。相較于上一代產品，新一代碳化硅（SiC）MOSFET的柵極電荷減半，并將儲存在輸出電容（Eoss）和輸出電荷（Qoss）中的能量減少了44%。此外，在關斷時沒有拖尾電流，在高溫下表現優越，可顯著降低開關損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時減小系統元件的尺寸，全面降低系統成本。
T10 PowerTrench系列專門設計用于處理DC-DC功率轉換中關鍵的大電流，以緊湊的封裝尺寸提供更高的功率密度和卓越的熱性能。通過屏蔽柵極溝槽設計，該系列具有超低柵極電荷和小于1毫歐的導通電阻RDS（on）。此外，軟恢復體二極管和較低的Qrr有效減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，保證了在應力下的最佳性能、可靠性和穩健性。本組合解決方案還符合超大規模運營商對嚴格的開放機架V3（ORV3）基本規范的需求，支持下一代大功率處理器的發展。如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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