13年IC行業代理分銷 覆蓋全球300+品牌
現貨庫存，2小時發貨，提供寄樣和解決方案
24小時服務熱線: 0755-82539998
現貨庫存，2小時發貨，提供寄樣和解決方案
熱搜關鍵詞：
半導體器件在高輻射環境下可能面臨Single Event Upset（SEU）等干擾，這種現象會導致芯片功能異常或數據丟失，給系統的可靠性和穩定性帶來挑戰。為了解決這一問題，近年來研究人員提出了利用雙MOSFET技術來避免SEU的影響。
在常規MOSFET器件中，當發生SEU時，電荷注入會導致信號翻轉或異常，從而影響器件的正常功能。而雙MOSFET技術則通過在器件中引入兩個MOSFET管，分別作為主動器件和備用器件，以提高器件的抗輻照性能。
在雙MOSFET技術中，主動器件和備用器件通過復雜的電路設計和控制邏輯進行切換，在檢測到SEU事件發生時，備用器件會自動接管主動器件的工作，從而實現對SEU的快速響應和修復。這種雙MOSFET技術不僅提高了器件的可靠性和抗干擾能力，還能夠在不影響正常工作的情況下，快速自我修復，確保系統的穩定性和可靠性。
另外，利用雙MOSFET技術還可以實現更高的工作效率和性能。通過動態切換主動器件和備用器件，可以實現器件的動態配置和優化，根據實際工作負載和環境變化，實現器件的自適應調節和能效優化，提高系統的整體性能和效率。
總的來說，利用雙MOSFET技術避免SEU影響是一種有效的解決方案，可以提高半導體器件在高輻射環境下的抗干擾能力和可靠性，同時能夠實現自動修復和動態優化，為系統的穩定性和可靠性提供保障。
在未來的研究和應用中，可以進一步探索雙MOSFET技術在不同領域和場景的應用，不斷優化和改進技術方案，推動半導體器件的抗干擾和自適應能力，為高可靠性系統的設計和實現提供更多可能性和選擇。
2024年6月6日，全球功率半導體、芯片及數字電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達克股票代碼：AOSL）宣布擴展其第二代650V至1200V aSiC MOSFET的封裝組合選項。這一全新封裝產品組合適用于插電式混合動力／電動汽車（xEV）車載充電機、太陽能逆變器和工業電源等...【詳情+】
隨著可穿戴設備及微型可穿戴設備的普及，設計人員正面臨著如何在有限的空間內集成眾多功能的挑戰。尤其是在智能手表、耳塞和智能珠寶等設備中，空間效率顯得尤為重要。為了解決這一問題，設計人員現在可以選擇采用微型（0.63 x 0.33 x 0.25 mm）小信號 MOSFET，以節省空間并降低電池消耗...【詳情+】
電話
申請樣品
留言
咨詢