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據韓媒報道，德州儀器（TI）的一位高層透露，該公司正計劃將其多個晶圓廠生產的6英寸氮化鎵（GaN）芯片轉移到8英寸晶圓廠進行生產。這一舉措旨在提高生產效率并降低GaN芯片的價格。
德州儀器的韓國公司經理Jerome Shin在首爾舉行的新聞發布會上表示，該公司正在籌備在達拉斯和日本會津建造8英寸晶圓廠，這將使德州儀器能夠提供更有競爭力的GaN芯片。Jerome Shin指出，盡管人們過去普遍認為GaN芯片比碳化硅（SiC）芯片更昂貴，但自2022年以來這種看法已經發生了變化。隨著德州儀器將生產規模從6英寸晶圓廠轉移到8英寸晶圓廠，每個晶圓上能夠容納更多芯片，這將提高公司的生產力并使GaN芯片的量產價格更為實惠。
目前，GaN芯片的價格已經低于SiC芯片。未來，隨著德州儀器達拉斯和日本會津工廠的改造完成，公司將能夠提供更具競爭力的解決方案。預計達拉斯工廠的擴產將于2025年完成，然而Jerome Shin并未透露日本會津工廠的時間表。
市場人士擔心，德州儀器的這一計劃可能導致GaN芯片價格全面下跌。除了GaN芯片，德州儀器還在將電源管理芯片的生產從8英寸晶圓廠轉移到12英寸晶圓。這一舉措已經導致電源管理芯片價格下跌，但也使得德州儀器節省了超過10%的成本。
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