意法半導(dǎo)體STM32H730超值系列搭載了Arm? Cortex?-M7內(nèi)核（具有雙精度浮點(diǎn)單元），工作頻率高達(dá)550 MHz。該系列內(nèi)置128 KB閃存，為開發(fā)人員提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。代理銷售意法半導(dǎo)體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供意法半導(dǎo)體STM32H730超值系列技術(shù)參數(shù)詳解。

性能

在550 MHz的CPU頻率下，STM32H730從閃存執(zhí)行程序時(shí)，能夠提供2778 CoreMark / 1177 DMIPS的卓越性能。通過其L1緩存（32 KB的I-緩存 + 32 KB的D-緩存）實(shí)現(xiàn)了零等待執(zhí)行，進(jìn)一步提升了外部存儲器的執(zhí)行性能。

內(nèi)嵌的128 KB閃存：面向用戶可信根服務(wù)、關(guān)鍵實(shí)時(shí)例程執(zhí)行和外部存儲器的簡單配置。

L1緩存：提高外部存儲器的執(zhí)行性能。

安全性

STM32H730集成了多種安全特性，確保系統(tǒng)的可靠性和數(shù)據(jù)的安全性：

加密/哈希硬件加速：提升數(shù)據(jù)處理速度和安全性。

安全固件安裝（SFI）：支持嵌入式安全服務(wù)，可在執(zhí)行初始程序時(shí)進(jìn)行安全驗(yàn)證并保護(hù)軟件IP。

安全啟動和安全固件升級（SBSFU）：確保系統(tǒng)啟動過程和固件更新的安全性。

高能效

多電源域架構(gòu)使得不同的電源域可以配置為低功耗模式，從而優(yōu)化功耗效率：

SMPS（開關(guān)模式電源）：部分型號內(nèi)嵌SMPS（如STM32H730xQ產(chǎn)品編號），用于降低電源電壓，并可為外部電路供電。

USB調(diào)節(jié)器：提供嵌入式物理接口層（PHY）。

運(yùn)行模式：在外設(shè)關(guān)閉的情況下，典型功耗為147 μA/MHz @ VDD = 3.3 V 和 25 °C。

低功耗待機(jī)模式：典型功耗電流為3.5 μA。

VBAT模式：不帶RTC、帶4 KB備用的低功耗模式下，典型功耗為1.45 μA。

圖形處理

STM32H730具備強(qiáng)大的圖形處理能力，適用于各種顯示應(yīng)用：

LCD-TFT控制器接口：支持雙層圖形顯示。

Chrom-ART Accelerator?：提高了圖形內(nèi)容創(chuàng)建速度，并為其他應(yīng)用節(jié)省了MCU內(nèi)核處理帶寬。

片內(nèi)外設(shè)

STM32H730配備了豐富的外設(shè)，滿足多種應(yīng)用場景的需求：

多達(dá)35個通信接口：包括FD-CAN、USB 2.0高速/全速、以太網(wǎng)MAC、攝像頭接口。

靈活存儲控制器：帶有24位并行接口或雙模Octo-SPI串行閃存接口，便于擴(kuò)展存儲器容量。

模擬外設(shè)：12位DAC，快速16位和12位ADC。

多個16和32位定時(shí)器：提供精確的時(shí)間控制。

存儲架構(gòu)

STM32H730超值系列提供了128 KB、564 KB靜態(tài)RAM (SRAM)，具有以下架構(gòu)：

128 KB的數(shù)據(jù)TCM RAM：用于關(guān)鍵的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。

432 KB的系統(tǒng)RAM：對于關(guān)鍵的實(shí)時(shí)指令，可以在TCM RAM指令上重新映射最多256 KB。

4KB的備份SRAM：可在最低功耗模式中使用。

封裝選項(xiàng)

STM32H730超值系列采用BGA和LQFP封裝，提供100至176引腳的多種封裝選擇。

結(jié)論

STM32H730超值系列憑借其卓越的性能、高安全性和低功耗特性，成為工業(yè)、消費(fèi)電子和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的理想選擇。無論是需要高性能計(jì)算、圖形處理還是安全功能的應(yīng)用，STM32H730都能提供全面的支持，幫助開發(fā)人員實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新設(shè)計(jì)。如需STM32H730系列產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。