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NDS331N是ONSemiconductor一款N溝道低電阻場效應管。代理銷售ON安森美半導體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將為大家提供NDS331N中文資料：中文參數詳解、功能特點及產品應用領域。
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包裹：卷帶式 (TR) 切帶式 (CT)
零件狀態：積極的
場效應管類型：N溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C：1.3A（塔）
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）：2.7V、4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：160毫歐@1.5A，4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：1V@250μA
柵極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs：5nC@4.5V
Vgs（最大）：±8V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds：162pF@10V
場效應管特點：-
功耗（最大）：500毫瓦（塔）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（太焦）
安裝類型：表面貼裝
供應商設備封裝：超級SOT-3
包裝/箱：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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1.低電阻：具有較低的導通電阻，有助于減少功耗和提高效率。
2.高性能：具有良好的開關特性，可以在高頻率下工作。
3.耐壓能力：具備一定的耐壓能力和電流承受能力。
-電源管理：可用于電源開關控制電路。
-驅動器應用：適用于各種驅動器電路。
-信號開關：用于各種信號開關應用。
-便攜式設備：在便攜式設備的功率控制電路中有廣泛應用。
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提供性價比初期選型指導及高品質IC芯片應用方案，成本比同行方案大大節省費用
常年備貨RENESAS(瑞薩)/IDT、Xilinx、Infineon、TI、AOS、中微愛芯、ST等品牌現貨庫存，現貨供應邏輯器件、數字信號處理器、單片機/微控制器、場效應管、IGBT單管、電源管理等，滿足電子元器件及時性采購與開發需求
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