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LM358DR2G是ONSemiconductor一款雙運算放大器。代理銷售ON安森美半導體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將為大家提供LM358DR2G中文資料:中文參數詳解、功能特點及產品應用領域。
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包裹:卷帶式 (TR) 切帶式 (CT)
零件狀態:積極的
放大器類型:一般用途
電路數量:2
輸出類型:-
轉換率:-
增益帶寬積:1兆赫
-3db 帶寬:-
電流 - 輸入偏置:45納安
電壓 - 輸入偏移:2毫伏
供電:800μA(x2 通道)
電流 - 輸出/通道:40毫安
電壓 - 電源,單/雙 (±):3V~32V,±1.5V~16V
工作溫度:0℃~70℃
安裝類型:表面貼裝
包裝/箱:8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米寬)
供應商設備封裝:8-SOIC
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1. 雙運放集成:LM358DR2G集成了兩個獨立的運算放大器,適合需要多個運算放大器的應用。
2. 寬電壓工作范圍:能夠在較寬的電源電壓范圍內工作,通常在單電源或雙電源應用中都能正常工作。
3. 低功耗:具有低功耗特性,適合需要長時間運行或電池供電的應用。
4. 高輸入阻抗:輸入阻抗較高,能夠減小對被測電路的影響。
5. 溫度穩定性良好:在不同溫度下能夠保持較好的性能穩定性。
1. 信號調理:用于信號放大、濾波、比較等功能,常用于傳感器信號處理、儀器儀表等領域。
2. 電壓跟隨器:用于實現電壓跟隨、電壓隔離等功能,常用于電源管理、模擬信號處理等應用。
3. 信號發生器:結合外部元件可以實現簡單的信號發生器功能,用于測試和校準等領域。
4. 模擬計算:用于模擬計算、模擬運算等功能,常用于模擬電路設計、模擬控制系統等應用。
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提供性價比初期選型指導及高品質IC芯片應用方案,成本比同行方案大大節省費用
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