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FDV301N是ONSemiconductor一款低電壓N溝道場效應管。代理銷售ON安森美半導體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能將為大家提供FDV301N中文資料：中文參數詳解、功能特點及產品應用領域。
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包裹：卷帶式 (TR) 切帶式 (CT)
零件狀態：積極的
場效應管類型：N溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓 (Vdss)：25V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C：220mA（塔）
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）：2.7V、4.5V
Rds On（最大）@Id、Vgs：4歐姆@400mA，4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id：1.06V@250μA
柵極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs：0.7nC@4.5V
Vgs（最大）：±8V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds：9.5pF@10V
場效應管特點：-
功耗（最大）：350毫瓦（塔）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（太焦）
安裝類型：表面貼裝
供應商設備封裝：SOT-23
包裝/箱：TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
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1.低電壓操作：適用于低電壓應用。
2.高性能：具有良好的開關特性和低電阻。
3.SOT-23封裝：常見的小型封裝，易于集成到各種電路板中。
-電路保護：用于開關電路的保護和控制。
-低壓控制：可以作為低電壓控制器的一部分。
-信號處理：在各種信號處理電路中有著廣泛的應用。
-便攜式設備：適用于便攜式電子設備中的功率管理和控制電路。
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