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IRF630是STMicroelectronics一款采用 DPAK 封裝的 N 溝道 200 V、0.35 歐姆（典型值）、9 A 功率 MOSFET。代理銷售ST意法半導體旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為大家提供IRF630中文簡介及規格參數等內容。
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該功率 MOSFET 采用該公司基于整合條帶布局的 MESH OVERLAY™ 工藝設計。與各種來源的標準零件相比，該技術匹配并提高了性能。
包裹：管子
零件狀態：積極的
場效應管類型：N溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓 (Vdss)：200V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C：9A（溫度）
驅動電壓（最大導通電阻、最小導通電阻）：10V
Rds On（最大）@Id、Vgs：400mOhm@4.5A，10V
Vgs(th)（最大值）@Id：4V@250μA
柵極電荷 (Qg)（最大值）@Vgs：45nC@10V
Vgs（最大）：±20V
輸入電容 (Ciss)（最大值）@Vds：700pF@25V
場效應管特點：-
功耗（最大）：75W（溫度）
工作溫度：-65°C ~ 150°C（太焦）
安裝類型：通孔
供應商設備封裝：TO-220AB
包裝/箱：TO-220-3
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