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HGTG5N120BND是onsemi(安森美)一款IGBT管/模塊，代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供HGTG5N120BND中文參數、數據手冊及現貨。
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系列：IGBT管/模塊
產品系列：-
零件狀態：不適用於新設計
IGBT類型：NPT
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
電流-集電極(Ic)（最大值）：21A
電流-集電極脈沖(Icm)：40A
不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，5A
功率-最大值：167W
開關能量：450μJ（開），390μJ（關）
輸入類型：標準
柵極電荷：53nC
25°C時Td（開/關）值：22ns/160ns
測試條件：960V，5A，25 歐姆，15V
反向恢復時間(trr)：65ns
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝：TO-247-3
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