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2N7002K是長晶/長電一款N溝道MOSFET,在低壓驅動電路、高頻開關電路和電壓控制器件中有廣泛的應用。代理銷售長晶/長電旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供2N7002K中文參數、產品特點、應用領域及提供2N7002K數據手冊下載。如需樣片測試、采購、BOM配單等需求,請直接加客服微信:13310830171。
產品類別:場效應管(MOSFET)
類型:N溝道
漏源電壓(Vdss):60V
連續漏極電流(Id):340mA
功率(Pd):350mW
導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V
閾值電壓(Vgs(th)@Id):2.5V
柵極電荷(Qg@Vgs):-
輸入電容(Ciss@Vds):40pF
反向傳輸電容(Crss@Vds):10pF
工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj)
封裝:SOT-23
標準包裝:3000個/圓盤
*2N7002K:長晶/長電代理商-中芯巨能直供、現貨供應,最快2小時出貨,滿足您從研發到批量生產的所有大小批量采購需求!
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1. 低閾值電壓:具有低的門極閾值電壓,適用于低壓驅動電路。
2. 低開啟電壓:在導通狀態下具有較低的開啟電壓,能夠實現低功耗操作。
3. 高開關速度:具有快速的開關速度,適用于高頻開關電路。
4. 低輸入電容:具有較低的輸入電容,適用于高頻應用和高速開關電路。
5. 低漏電流:具有較低的漏電流,能夠提供良好的關斷特性。
1. 低壓驅動電路:適用于需要低壓驅動的電路,如電子開關、低功耗邏輯電路等。
2. 高頻開關電路:用于高頻開關電源、射頻開關等高頻電路中。
3. 電荷耦合器件:在模擬開關電路、數字邏輯電路中用作電荷耦合器件。
4. 電壓控制器件:用于電壓控制電路、電壓比較器等應用中。
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提供性價比初期選型指導及高品質IC芯片應用方案,成本比同行方案大大節省費用
常年備貨RENESAS(瑞薩)/IDT、Xilinx、Infineon、TI、AOS、中微愛芯、ST等品牌現貨庫存,現貨供應邏輯器件、數字信號處理器、單片機/微控制器、場效應管、IGBT單管、電源管理等,滿足電子元器件及時性采購與開發需求
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成本方案,盡可能減少成本
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