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在全球電氣化趨勢和人工智能技術迅猛發展的背景下,市場對高能效功率器件的需求正以前所未有的速度增長。為滿足這一需求,安森美近日推出了其基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM 31智能功率模塊(IPM)系列,旨在通過創新解決方案降低能耗及整體系統成本。
安森美的EliteSiC SPM 31 IPM與傳統的第7代場截止IGBT技術相比,在性能上實現了質的飛躍。該系列模塊不僅在超緊湊的封裝中提供了卓越的能效和功率密度,還成功地降低了整體系統的成本。此外,由于其改進了熱性能并支持快速開關速度,使得它在三相變頻驅動應用中表現尤為突出,例如AI數據中心、熱泵、商用暖通空調系統(HVAC)、伺服電機、機器人、變頻驅動器(VFD)以及工業泵和風機等電子換向(EC)電機領域。
這款新型IPM的核心亮點包括但不限于:首先,它采用了1200V SiC MOSFET技術,確保了超高能效和功率密度;其次,緊湊的設計讓其即便在空間受限的應用場景中也能游刃有余;再次,提供從40A到70A的多種額定電流選項,適應不同應用場景的需求;最后,全集成設計集成了多個關鍵組件,簡化了電路板設計,縮小了尺寸。
值得一提的是,EliteSiC SPM 31 IPM在提升效能的同時,也考慮到了安全性和保護措施,如內置欠壓保護(UVP)和獲得UL認證等特性,進一步增強了設備的安全性。這些特性使得安森美的新產品在追求高效能和高功率密度的工業和商業應用中占據了顯著優勢。
隨著全球對于綠色能源和可持續發展的關注不斷增加,像安森美這樣的技術創新無疑將為行業帶來深遠影響。通過不斷推出更高效、更環保的產品,安森美不僅助力客戶實現節能減排目標,也為推動整個行業的進步貢獻了自己的力量。未來,我們期待看到更多類似的技術革新,共同構建更加綠色、高效的未來。
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