意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）近日推出兩款新型高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器——STDRIVEG610與STDRIVEG611，專為提升電源轉(zhuǎn)換和電機控制應(yīng)用的能效、功率密度及系統(tǒng)魯棒性而設(shè)計。這兩款器件不僅集成了豐富的保護功能，還提供靈活的控制選項，助力開發(fā)者在消費電子與工業(yè)設(shè)備中實現(xiàn)更高性能的功率系統(tǒng)設(shè)計。代理銷售意法半導(dǎo)體旗下系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹STDRIVEG610與STDRIVEG611產(chǎn)品優(yōu)勢。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

隨著氮化鎵（GaN）功率器件在高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用中的廣泛應(yīng)用，對高性能柵極驅(qū)動方案的需求日益增長。STDRIVEG610和STDRIVEG611正是針對這一趨勢推出的產(chǎn)品，分別面向軟開關(guān)電源拓?fù)浜陀查_關(guān)電機控制場景，滿足多樣化設(shè)計需求。

面向軟開關(guān)拓?fù)涞木珳?zhǔn)控制：STDRIVEG610

STDRIVEG610適用于LLC、ACF等軟開關(guān)電源架構(gòu)，其核心優(yōu)勢在于300ns級啟動時間響應(yīng)能力，可確保在突發(fā)模式下精確控制功率管的關(guān)斷周期，從而提升輕載效率與動態(tài)響應(yīng)速度。該特性使其特別適合用于電源適配器、快速充電器以及功率因數(shù)校正（PFC）電路的設(shè)計。

此外，該器件內(nèi)置互鎖機制以防止交叉導(dǎo)通，并集成欠壓鎖定（UVLO）和過熱保護功能，有效增強系統(tǒng)運行的安全性和穩(wěn)定性。

專注電機控制的高可靠性：STDRIVEG611

STDRIVEG611則聚焦于電機控制領(lǐng)域，如家用電器、電泵、壓縮機、伺服電機及工廠自動化設(shè)備中的硬開關(guān)應(yīng)用場景。相比STDRIVEG610，它進一步增強了安全保護功能，包括高邊UVLO保護和智能過流關(guān)斷機制，可在異常工況下迅速切斷驅(qū)動信號，避免損壞GaN功率器件。

同時，該器件支持高達(dá)±200V/ns的dV/dt抗擾度，適應(yīng)復(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運行。

共性優(yōu)勢：集成化與易用性

兩款驅(qū)動器均采用緊湊型4mm x 5mm QFN封裝，節(jié)省PCB空間，并具備以下共性亮點：

集成自舉二極管，簡化外圍電路；

內(nèi)置傳輸延遲小于10ns的6V線性穩(wěn)壓器，支持高邊驅(qū)動；

獨立吸電流（2.4A/1.2Ω）與拉電流（1.0A/3.7Ω）路徑，提升驅(qū)動能力；

支持3.3V至20V輸入電壓范圍，兼容多種控制器接口；

提供待機引腳，在非工作狀態(tài)下降低功耗；

雙電源地引腳支持開爾文源連接或分流電阻監(jiān)測，提高測量精度。

憑借高度集成的架構(gòu)和豐富的保護機制，STDRIVEG610和STDRIVEG611不僅能顯著降低物料清單（BOM）成本，還能加快產(chǎn)品開發(fā)進程，縮短上市時間。

展望未來應(yīng)用方向

隨著GaN技術(shù)在高功率密度、高頻電源及高效電機控制系統(tǒng)中的加速普及，意法半導(dǎo)體此次推出的兩款柵極驅(qū)動器將為工程師提供更靈活、更可靠的解決方案。無論是在消費類快充產(chǎn)品還是工業(yè)自動化設(shè)備中，STDRIVEG610與STDRIVEG611都展現(xiàn)出強大的應(yīng)用潛力，有望推動下一代高效電力電子系統(tǒng)的落地與演進。