2025年慕尼黑上海電子展已經(jīng)落下帷幕，這場全球電子科技領(lǐng)域的頂級盛會再次吸引了眾多目光。眾多頂尖電子行業(yè)企業(yè)匯聚一堂，不僅展示了行業(yè)前沿技術(shù)，還為新老伙伴提供了絕佳的交流機會。AOS作為其中的佼佼者，憑借其AI高性能功率器件及創(chuàng)新電源解決方案，成為展會的一大亮點，與行業(yè)伙伴共同探討電子行業(yè)的未來發(fā)展方向。

在展會期間，AOS應(yīng)用工程資深總監(jiān)劉松先生出席了《2025 AI技術(shù)創(chuàng)新論壇》，深入分析了AI系統(tǒng)電源的基本架構(gòu)與發(fā)展趨勢。他重點介紹了AOS公司針對AI電源設(shè)計的高性能解決方案，這一方案涵蓋了三大核心優(yōu)勢。首先，AOS采用了寬SOA（安全工作區(qū)）設(shè)計的熱插拔功率MOSFET，適用于48V至12V/6V/1V的DC-DC模塊或非隔離混合開關(guān)電容電源。其次，公司推出的40V/60V/80V中壓功率MOSFET產(chǎn)品，不僅高效能，還擁有明確的技術(shù)路線。最后，針對GPU/CPU供電的VR整體解決方案通過控制器與DRMOS/SPS的協(xié)同設(shè)計，實現(xiàn)了高功率密度與快速動態(tài)響應(yīng)。

AOS在現(xiàn)場展示了專為顯卡和AI服務(wù)器中的高性能GPU及SoC設(shè)計的新型控制器AOZ73016QI。這款控制器符合最新的OpenVReg16 (OVR16)規(guī)范，基于公司自主研發(fā)的高性能AOS專有的高級瞬態(tài)調(diào)制器（A2TM）控制方案設(shè)計。除了滿足OVR16規(guī)范的基本要求外，該控制器還具備多種增值功能。例如，它可以通過對RDS(on)和電感DCR的監(jiān)測來實現(xiàn)電流監(jiān)測和電流平衡的自動調(diào)節(jié)。這些功能使得該控制器能夠支持DrMOS和智能功率級（SPS）模塊，為AI服務(wù)器和顯卡提供完整的電源系統(tǒng)管理解決方案，并提升設(shè)計的靈活性。此外，該控制器通過PMBUS接口實現(xiàn)用戶完整的自定義和修改功能，并符合AVS總線標(biāo)準(zhǔn)。它還具備數(shù)字可編程的電壓和電流調(diào)節(jié)回路，最大限度地減少了實現(xiàn)解決方案所需的外部組件。同時，該設(shè)備支持電子控制系統(tǒng)（ECS）的可編程性，能夠在現(xiàn)場更新配置，并通過引腳選擇預(yù)編程最多六個配置設(shè)置。

當(dāng)AOZ73016QI與AOS行業(yè)領(lǐng)先的DrMOS和智能功率級搭配使用時，可提供一套完整的GPU或AI SoC供電解決方案，廣泛適用于數(shù)據(jù)中心、顯卡及高性能計算領(lǐng)域等電池供電設(shè)備。同時，AOS還推出了一款專為48V熱插拔應(yīng)用設(shè)計的AOTL66935 MOSFET。這款采用TOLL封裝的MOSFET具有增強型高安全工作區(qū)（SOA），并且即將推出LFPAK8x8封裝的AOLV66935。這兩款MOSFET具備超低導(dǎo)通電阻（<1.9mΩ），最大結(jié)溫可達175℃。通過優(yōu)化，它們具有極低的導(dǎo)通電阻和強壯的線性區(qū)能力，確保在AI服務(wù)器和電信設(shè)備等對性能、可靠性和質(zhì)量要求極高的應(yīng)用場景中提供出色的保護和穩(wěn)定性。

此外，AOS推出的AOZ17517QI是一款高密度集成的12V熱插拔限流保護電子保險絲，采用QFN5x5-32L封裝。該器件支持27V最大輸入/輸出電壓，具備可編程軟啟動功能，有效抑制高容性負載的浪涌電流。其內(nèi)置輸入欠壓鎖定（UVLO）、熱關(guān)斷保護（TSD）及可配置的故障恢復(fù)模式（鎖存/自動重試）。通過外部電阻可調(diào)節(jié)過流保護閾值，并集成精準(zhǔn)的電流/電壓監(jiān)測功能。該器件支持并聯(lián)使用以滿足大電流需求，為前端電源保護提供高可靠性解決方案。

在AI DCDC電源模塊的MOSFET方面，AOS推出了AONC和AONA系列，采用全新的雙面散熱DFN33（center gate source down）和DFN56封裝。這些封裝大幅提升了MOSFET的散熱性能，并全面優(yōu)化了溫度循環(huán)下的板級可靠性。在電氣性能上，它們進一步優(yōu)化了FOM RdsonQg、RdsonQrr，完美適配各種高功率密度的模塊應(yīng)用。

AOS還推出了新一代的高壓超結(jié)平臺——αMOS E2。該平臺具備出色的品質(zhì)因素（FOM）、強壯的快速恢復(fù)體二極管以及極佳的抗短路電流能力，專為各種高功率密度的性能導(dǎo)向電源供應(yīng)器而開發(fā)。基于此平臺，AOS推出的第一款產(chǎn)品AOTL037V60DE2即將進入量產(chǎn)。這款產(chǎn)品具備超低導(dǎo)通電阻（37 mohm）和強壯的體二極管，經(jīng)實測體二極管可耐受80A、1000A/us的快速電流變化。MOSFET在短路時可承受12us，在實現(xiàn)高性能的電源設(shè)計的同時，更可以充分確保系統(tǒng)在極端條件下的可靠性和穩(wěn)定性，特別符合AI服務(wù)器電源以及太陽能光伏等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用。

2025年慕尼黑上海電子展上，AOS憑借其創(chuàng)新的高性能產(chǎn)品和解決方案，展現(xiàn)了其在電子科技領(lǐng)域的強大實力和領(lǐng)先地位。未來，AOS將繼續(xù)致力于技術(shù)創(chuàng)新，為全球電子行業(yè)的發(fā)展貢獻更多力量。

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