安森美（onsemi）近日推出了其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。這一創新產品不僅在緊湊的封裝尺寸中提供了超高的能效和功率密度，還顯著降低了整體系統成本，成為市場上領先的解決方案之一。

超高能效與功率密度

與傳統的第7代場截止（FS7）IGBT技術相比，安森美的EliteSiC SPM 31 IPM在多個關鍵性能指標上實現了突破。這些IPM改進了熱性能、降低了功耗，并支持快速開關速度，非常適合三相變頻驅動應用。具體應用場景包括AI數據中心、熱泵、商用暖通空調（HVAC）系統、伺服電機、機器人、變頻驅動器（VFD）以及工業泵和風機等領域的電子換向（EC）風機。

廣泛的應用場景

EliteSiC SPM 31 IPM與安森美現有的IGBT SPM 31 IPM產品組合形成互補，提供從40A到70A的多種額定電流選擇，覆蓋了廣泛的市場需求。隨著電氣化和人工智能應用的增長，尤其是更多AI數據中心的建設，降低該領域應用的能耗變得愈發重要。在這個向低碳排放世界轉型的過程中，能夠高效轉換電能的功率半導體發揮著關鍵作用。

例如，在數據中心中，冷卻風機對于維持設備的理想運行環境至關重要。SiC IPM可以確保這些EC風機以更高能效可靠運行，從而減少能源消耗和運營成本。與壓縮機驅動和泵等許多其他工業應用一樣，EC風機需要比現有較大的IGBT解決方案具有更高的功率密度和能效。通過改用EliteSiC SPM 31 IPM，客戶將受益于更小的尺寸、更高的性能以及因高度集成而簡化的設計，從而縮短開發時間，降低整體系統成本，并減少溫室氣體排放。

具體案例分析

以一個典型的EC風機為例，使用當前IGBT功率集成模塊（PIM）的系統解決方案在70%負載時的功率損耗為500W。而采用高效的EliteSiC SPM 31 IPM后，每個EC風機的年能耗和成本可降低52%。這種顯著的節能效果不僅有助于企業降低運營成本，還能為環境保護做出貢獻。

集成化設計的優勢

全集成的EliteSiC SPM 31 IPM包括一個獨立的上橋柵極驅動器、低壓集成電路（LVIC）、六個EliteSiC MOSFET和一個溫度傳感器（電壓溫度傳感器或熱敏電阻）。該模塊基于業界領先的M3 SiC技術，縮小了裸片尺寸，并利用SPM 31封裝提高短路耐受時間（SCWT），從而針對硬開關應用進行了優化，適用于工業用變頻電機驅動。

此外，EliteSiC SPM 31 IPM還包括以下優勢：

低損耗、抗短路能力：M3 EliteSiC MOSFET具備低損耗和額定抗短路能力，防止設備和元件發生災難性故障，如電擊或火災。

內置欠壓保護（UVP）：防止電壓過低時損壞設備。

靈活的額定電流選擇：作為FS7 IGBT SPM 31的對等產品，客戶可以在使用相同PCB板的同時選擇不同的額定電流。

UL認證：符合國家和國際安全標準。

單接地電源：提供更好的安全性、設備保護和降噪。

簡化設計：柵極驅動器控制和保護、內置自舉二極管（BSD）和自舉電阻（BSR），為上橋柵極升壓驅動提供內部升壓二極管，集成溫度傳感器（由LVIC和/或熱敏電阻輸出VTS），內置高速高壓集成電路。

注：我司代理銷售安森美旗下全系列IC電子元器件，如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。