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為了加速開發具備出色能效和功率密度的氮化鎵（GaN）電源（PSU），意法半導體（STMicroelectronics）推出了基于MasterGaN1L系統級封裝（SiP）的諧振轉換器參考設計EVL250WMG1L。該設計旨在滿足空間有限且對能效有嚴格要求的工業應用需求，通過整合先進的GaN技術與優化的驅動電路，為工程師提供了高效、緊湊的設計解決方案。
MasterGaN-SiP：集成與性能的完美結合
意法半導體的MasterGaN-SiP技術在一個封裝內集成了GaN功率晶體管與專門針對開關速度和控制精度進行了優化的柵極驅動器。這種高度集成的設計不僅提高了電源的整體性能和可靠性，還顯著加快了設計周期，減少了PCB電路板的空間占用。相比傳統采用多個分立元件的方案，MasterGaN-SiP能夠更好地發揮GaN材料的優勢，如更高的工作頻率、更低的損耗以及更小的尺寸。
EVL250WMG1L：高效緊湊的工業級電源參考設計
EVL250WMG1L參考設計采用了MasterGaN1L，內置兩個650V 150mΩ GaN FET晶體管，并結合了意法半導體的L6599A諧振控制器。這一組合使得電源能夠在不使用原邊散熱器的情況下達到超過94%的峰值能效，極大簡化了熱管理設計。此外，該電源還集成了意法半導體的SRK2001A同步整流控制器，進一步提升了效率并縮小了整體尺寸至80mm x 50mm，實現了高達每立方英寸34瓦（W/inch3）的功率密度。
這款電源的最大輸出電流可達10A，在24V直流電壓條件下，可提供250W的輸出功率。其待機電流低于1μA，體現了卓越的節能特性。為了確保系統的穩定性和安全性，L6599A和SRK2001A內部集成了多種保護功能，包括過流保護、短路保護和過壓保護等，同時輸入電壓監測機制保證了電源的安全啟動及欠壓鎖定功能。
推動工業電源技術創新
意法半導體推出的EVL250WMG1L參考設計，憑借其高效能、緊湊結構和全面的安全特性，為工業級電源的應用帶來了新的可能性。它不僅有助于減少能源消耗，還能有效降低設備體積和重量，適用于各種需要高性能電源解決方案的場合。隨著全球對節能減排的關注日益增加，這類創新產品將在未來的電力電子市場中扮演重要角色，推動行業向更加環保、高效的未來發展。
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