Vishay 最新推出的 SiJK140E 是一款采用 PowerPAK? 10x12 封裝的 40 V TrenchFET? 第四代 N 溝道功率 MOSFET。這款器件以其卓越的導通電阻特性著稱，為工業應用提供了更高的效率和功率密度。與市場上相同占位面積的競爭產品相比，SiJK140E 的導通電阻降低了 32%，并且比采用 TO-263-7L 封裝的同類 40 V MOSFET 導通電阻低 58%。

性能特點

卓越的導電性能

在 10 V 柵極驅動電壓下，SiJK140E 的典型導通電阻僅為 0.34 mΩ，這一數值確保了最小化的傳導損耗，從而顯著提升了系統的整體效率。同時，該器件擁有出色的熱性能，結到殼熱阻（RthJC）低至 0.21 °C/W，有助于提高散熱效果。

強大的電流承載能力

得益于其無線鍵合 (BWL) 設計，SiJK140E 能夠最大限度地減少寄生電感，并提供高達 795 A 的連續漏極電流。相比之下，傳統的打線鍵合 (BW) 封裝 TO-263-7L 解決方案電流限于 200 A。此外，SiJK140E 提供了強大的安全工作區 (SOA) 功能，進一步增強了可靠性。

緊湊的設計與空間節省

SiJK140E 的 PowerPAK? 10x12 封裝僅占用 120 mm2 的 PCB 面積，相較于 TO-263-7L 封裝節省了 27% 的空間。而且，其厚度減少了 50%，使得設計更加緊湊靈活。

應用領域

SiJK140E 廣泛適用于多種工業應用場景，包括但不限于：

同步整流：用于高效電源轉換。

熱插拔和 OR-ing：保障系統冗余性和安全性。

電機驅動控制：支持高性能電動工具、機器人及自動化設備。

焊接設備與等離子切割機：提供穩定的電力輸出。

電池管理系統：確保電動汽車和其他便攜式電子產品的能源管理。

3D 打印機：助力精密制造過程中的穩定供電。

為了防止誤操作或短路問題，標準級別的 SiJK140E 提供了 2.4 V 的高閾值電壓。該器件符合 RoHS 標準且不含鹵素，并經過了嚴格的柵極電阻 (Rg) 和不重復雪崩擊穿電壓 (UIS) 測試，確保了其高品質和長期可靠性。

綜上所述，Vishay 的 SiJK140E 不僅通過優化的電氣參數提高了應用效率，還憑借其緊湊的封裝設計為工程師帶來了更多的設計自由度和靈活性。如需SiJK140E產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。