作為碳化硅（SiC）制造商之一，安森美致力于確保其SiC產(chǎn)品能夠滿足下一代應用的性能要求。為此，公司實施了一系列廣泛的質(zhì)量和可靠性項目，這些項目針對SiC結(jié)構(gòu)量身定制，以確保產(chǎn)品的長期穩(wěn)定性和可靠性。

了解SiC的局限性

要確保SiC產(chǎn)品在高性能應用中的可靠性，必須認識到SiC材料的局限性，并確定其可靠的工作條件。通過深入分析失效模式和機制，可以識別潛在的弱點并采取糾正措施。這對于涉及長生命周期系統(tǒng)的高性能SiC應用尤為重要。

項目基礎(chǔ)與合作

安森美的質(zhì)量項目包括一個多元化的團隊，涵蓋前端制造、研發(fā)、應用測試和失效分析等多個領(lǐng)域。此外，公司還與世界各地的大學和專業(yè)研究中心合作，進一步加強了項目的深度和廣度。

晶圓質(zhì)量認證

晶圓質(zhì)量認證是確保SiC可靠性的關(guān)鍵步驟。該過程關(guān)注晶圓制造過程，旨在確保所有加工的晶圓都具有穩(wěn)定的內(nèi)在高可靠性水平。安森美開發(fā)了一系列深入的方法，包括視覺和電子篩選工具，以消除有缺陷的晶粒。

襯底掃描：使用坐標跟蹤和自動分類技術(shù)來識別和跟蹤缺陷。

多次檢驗掃描：在整個生產(chǎn)過程中，在關(guān)鍵步驟中識別潛在缺陷。

電氣篩選：在晶圓驗收測試、老化測試和晶圓級晶粒分類等階段實施，以及動態(tài)部件平均值測試，以消除電氣異常值。

自動化出廠檢查：所有晶圓都要接受徹底的視覺缺陷識別。

廣泛測試

無論是在SiC產(chǎn)品的開發(fā)過程中還是在持續(xù)生產(chǎn)過程中，安森美都會進行一系列測試，以確保整個生產(chǎn)過程（從晶圓制造到產(chǎn)品封裝和應用測試）的質(zhì)量和可靠性。

擊穿電荷(QBD)測試

安森美使用QBD測試來評估柵極氧化物質(zhì)量。該方法在室溫下對正向偏置柵極施加5 mA/cm2的電流，這種破壞性測試比線性電壓QBD測試更精確和靈敏，能夠檢測到內(nèi)在分布中的細微差異。

性能提升：在相同標稱厚度下，安森美平面SiC的內(nèi)在性能比Si提高了50倍。

生產(chǎn)監(jiān)控：每批產(chǎn)品的柵極氧化物質(zhì)量通過將SiC MOSFET產(chǎn)品晶粒的采樣QBD與大面積（2.7 mm x 2.7 mm）NMOS電容器進行對比來評估，并設(shè)定了嚴格的標準以剔除任何異常值。

TDDB測試

為了確保SiC產(chǎn)品的壽命，安森美進行了廣泛的TDDB應力測試。這些測試遠遠超出了常規(guī)工作條件。例如，在175°C的溫度下，器件經(jīng)受了一系列柵極電壓和與電子俘獲相關(guān)的氧化物電場的影響。即使采用保守的模型，在柵極電壓為21V的情況下，預測的失效時間為20年，遠高于規(guī)定的工作電壓（18V）。

跨職能方法體系

除了QBD和TDDB測試外，安森美還在公司內(nèi)部及與獨立學術(shù)研究人員合作，進行一系列廣泛的實驗。這些測試包括雙極性老化、動態(tài)應力測試和BTI老化測試等，構(gòu)成了一種全面的跨職能方法體系，旨在對從晶圓到最終應用產(chǎn)品的全過程進行全面測試。

先進的應用實驗室

2023年11月，安森美在斯洛伐克Piestany開設(shè)了先進的電動汽車系統(tǒng)應用實驗室，進一步擴大了其應用測試范圍。該實驗室配備了各種專有測試設(shè)備和來自AVL等業(yè)界知名制造商的解決方案，旨在支持電動汽車和可再生能源逆變器下一代系統(tǒng)解決方案的開發(fā)。

結(jié)語

通過這些全面的質(zhì)量和可靠性項目，安森美確保其SiC產(chǎn)品能夠滿足下一代應用的需求。無論是提高效率、加快開關(guān)速度、支持更高電壓還是增強可靠性，安森美的產(chǎn)品都能更精確地符合客戶的系統(tǒng)要求。隨著技術(shù)的不斷進步，安森美將繼續(xù)推動SiC技術(shù)的發(fā)展，為客戶提供更高效、可靠的解決方案。如需采購安森美芯片、申請樣片測試、產(chǎn)品規(guī)格書等需求，請加客服微信：13310830171。