安森美（onsemi）近日宣布推出其首款采用TOLL（Thin Outer Leadless Leadframe，薄型無引腳框架）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET——NTBL045N065SC1。這款新型SiC MOSFET具有650V的VDSS額定電壓，典型導(dǎo)通電阻RDS(on)為33毫歐姆，最大漏極電流可達(dá)73安培。其最高工作溫度為175°C，并且具備超低柵極電荷，能夠顯著減少開關(guān)損耗。此外，TOLL封裝被賦予了MSL 1（濕度敏感度等級1級）評級，適合用于各類嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用，如開關(guān)模式電源（SMPS）、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）及儲(chǔ)能系統(tǒng)。這些應(yīng)用往往需要滿足諸如ErP和80 PLUS Titanium等最嚴(yán)格的效率標(biāo)準(zhǔn)。如需產(chǎn)品規(guī)格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。

SiC模塊化封裝技術(shù)

隨著SiC器件在更廣泛領(lǐng)域的應(yīng)用，越來越多的設(shè)計(jì)需要在一個(gè)模塊中集成多個(gè)器件。因此，集成封裝技術(shù)成為了SiC器件封裝領(lǐng)域的一個(gè)重要研究方向。除了考慮單個(gè)器件的性能外，還需要確保整個(gè)模塊的綜合性能、穩(wěn)定性和可靠性。

與傳統(tǒng)的單管封裝相比，SiC功率模塊在降低寄生效應(yīng)、提高散熱性能以及增強(qiáng)長期可靠性和耐溫性方面展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢。例如，模塊化封裝能夠減少高速開關(guān)過程中關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰，通過降低封裝的寄生電感來緩解電氣應(yīng)力。盡管SiC材料本身能夠在400°C以上的高溫環(huán)境下工作，但實(shí)際應(yīng)用中器件的工作溫度仍然受限于封裝材料，如封裝化合物、互連結(jié)構(gòu)和晶圓附著材料。

安森美SiC模塊化封裝解決方案

在安森美的SiC模塊化封裝產(chǎn)品系列中，VE-Trac B2 SiC模塊是一個(gè)典型的例子。該模塊在一個(gè)半橋架構(gòu)中整合了安森美的所有SiC MOSFET技術(shù)。通過采用銀燒結(jié)技術(shù)進(jìn)行裸片連接，并使用壓鑄模工藝實(shí)現(xiàn)堅(jiān)固封裝，從而提高了能效、功率密度和可靠性。VE-Trac B2模塊符合AQG 324汽車功率模塊標(biāo)準(zhǔn)，其SiC芯片組運(yùn)用了安森美的M1 SiC技術(shù)，提供了高電流密度、強(qiáng)大的短路保護(hù)、高阻斷電壓和高工作溫度，為電動(dòng)汽車主驅(qū)應(yīng)用帶來了卓越性能。

通過引入TOLL封裝技術(shù)及其在SiC模塊化封裝方面的創(chuàng)新，安森美不僅提升了SiC MOSFET的性能，還為電力電子設(shè)備的設(shè)計(jì)者提供了更高效、可靠的解決方案，助力實(shí)現(xiàn)更高水平的節(jié)能減排和可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)。