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在汽車電子系統中，金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為驅動電磁閥等感性負載的關鍵組件，面臨著重復雪崩電流的嚴峻考驗。為解決這一挑戰，傳統電路設計通常會加入額外的保護器件，如升壓拓撲或續流二極管，以確保MOSFET在負載電流持續流動時不受損害。然而，這些解決方案要么成本高昂，要么效率低下。面對這一行業痛點，Nexperia（安世半導體）推出了一款創新的ASFET（Advanced SnowAvalanche FET），為汽車應用提供了一種既經濟又高效的解決方案。
Nexperia的ASFET專為承受重復雪崩電流而設計，其卓越的性能經過高達10億次循環的嚴格測試，確保了長期的可靠性。這款器件通過優化的MOSFET結構，能夠在重復雪崩事件中將結溫控制在安全閾值175℃以下，從而避免了過熱風險，延長了器件壽命。
ASFET嚴格遵守AEC-Q101標準，這意味著它在汽車行業的嚴苛環境中也能保持穩定的性能。結合Nexperia的堅固硅技術與LFPAK封裝的出色熱性能，ASFET能夠在高負荷下保持芯片溫度在安全范圍內，確保了系統的穩定運行。
使用ASFET代替傳統的保護方案，能夠顯著簡化電路設計，減少物料清單（BOM）的復雜度，進而降低了整體系統成本和空間占用。與續流二極管方案相比，ASFET不僅提高了效率，還加速了開關速度，為汽車電子系統帶來了更高的性能和可靠性。
作為Nexperia ASFET系列的一員，BUK9K13-60RA是一款雙N溝道60V、12.5 mΩ邏輯電平MOSFET，采用先進的LFPAK56D封裝。這款器件采用了現代溝槽技術，取代了老舊的平面技術，進一步提升了效率和開關速度。無論是從成本效益還是性能角度考量，BUK9K13-60RA都是驅動汽車感性負載的理想選擇。如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
Nexperia不斷豐富其增長中的PMIC產品組合，最新加入了0.5 - 5.5 V負載開關IC。在迅速發展的電子電路設計領域，選擇合適的電源開關是至關重要的決策之一，它不僅極大地影響著系統設計的性能和效率，還涉及到總體空間的優化。負載開關IC在電子系統中扮演著關鍵角色，是用于電源管理的非分...【詳情+】
近日，全球知名半導體制造商Nexperia（安世半導體）宣布計劃在漢堡工廠投資2億美元（約合1.84億歐元），用于研發下一代寬禁帶半導體產品，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），并建立生產基礎設施。同時，公司還將增加硅（Si）二極管和晶體管的產能。這一重大投資是為了慶祝該工廠成立100周年，并由漢堡經濟部...【詳情+】
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