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英飛凌近日宣布推出了1200V的62mm CoolSiC? MOSFET半橋模塊，該模塊采用了M1H芯片技術，顯著提升了在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口等方面的性能。新規格為2.9mΩ 1200V，用戶可根據需求選擇帶或不帶熱界面材料(TIM)的產品。
該系列產品包括FF3MR12KM1H 2.9mΩ、1200V 62mm半橋模塊，以及FF3MR12KM1HP 2.9mΩ、1200V 62mm半橋模塊，預涂TIM。產品特點包括集成體二極管，優化了熱阻，柵極氧化層可靠性突出，具備抗宇宙射線能力強的特點。
該模塊針對應用苛刻條件進行了優化，具有更低的電壓過沖、最小的導通損耗以及高速開關、極低損耗的優點。對稱模塊設計實現了對稱的上下橋臂開關行為，標準模塊封裝技術保證了可靠性。此外，生產線采用62毫米高產量生產線生產。
英飛凌此次推出的產品在碳化硅擴展成熟的62毫米封裝產品基礎上，以滿足快速開關和低損耗需求。該產品具備電流密度最高、防潮性能強等競爭優勢。
這款模塊適用于多個領域，包括儲能系統、電動汽車充電、光伏逆變器以及UPS等應用場景。如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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