安森美（onsemi）近日推出了最新的第7代1200V QDual3絕緣柵雙極晶體管（IGBT）功率模塊。這款模塊相較于其他同類產(chǎn)品具有更高的功率密度，并提供高達(dá)10%的額外輸出功率?；谛碌膱?chǎng)截止第7代（FS7）IGBT技術(shù)的800安培（A） QDual3模塊，帶來(lái)了業(yè)界領(lǐng)先的能效表現(xiàn)，有助于降低系統(tǒng)成本并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。

適用于150千瓦逆變器的QDual3模塊，與同類產(chǎn)品相比可以減少200瓦（W）的損失，大大縮減了散熱器的尺寸。這款模塊專為在惡劣條件下工作而設(shè)計(jì)，非常適用于大功率變流器，例如太陽(yáng)能發(fā)電站中央逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、商用農(nóng)業(yè)車輛（CAV）和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。目前，用戶可以根據(jù)不同的應(yīng)用需求選擇NXH800H120L7QDSG和SNXH800H120L7QDSG這兩種產(chǎn)品。

隨著可再生能源采用率不斷增加，對(duì)高峰需求管理和持續(xù)供電保障等相關(guān)解決方案的需求也在逐漸增長(zhǎng)。為了維持電網(wǎng)的穩(wěn)定性并降低成本，必須在電力需求高峰時(shí)段削減用電量，采取削峰填谷的措施。借助QDual3模塊，制造商可以設(shè)計(jì)出在相同系統(tǒng)尺寸下功率更強(qiáng)的太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)，提高能源管理效率，增強(qiáng)儲(chǔ)存能力，從而更順暢地將太陽(yáng)能電力并入電網(wǎng)。

此外，該模塊支持將多余的電力儲(chǔ)存在儲(chǔ)能系統(tǒng)中，有效緩解太陽(yáng)能發(fā)電的間歇性問(wèn)題，確保供電的可靠性和穩(wěn)定性。對(duì)于大型系統(tǒng)應(yīng)用，可以通過(guò)并聯(lián)多個(gè)模塊來(lái)提升輸出功率，達(dá)到數(shù)兆瓦級(jí)別。相較于傳統(tǒng)的600A模塊解決方案，800A的QDual3模塊明顯減少所需模塊數(shù)量，大大簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)復(fù)雜度并降低系統(tǒng)成本。

QDual3 IGBT模塊采用800A半橋配置，集成了新的第7代溝槽場(chǎng)截止IGBT和二極管技術(shù)，結(jié)合了安森美的先進(jìn)封裝技術(shù)，有效降低了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。借助FS7技術(shù)，裸片尺寸減小了30%，每個(gè)模塊能容納更多裸片，提高了功率密度，最大電流容量可達(dá)800A或更高。該800A QDual3模塊的IGBT Vce(sat)僅為1.75V（175℃），Eoff也較低，能量損耗比最接近的替代方案低10%。此外，QDual3模塊還滿足嚴(yán)格的汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。如需產(chǎn)品規(guī)格書、選型指導(dǎo)、樣片測(cè)試、采購(gòu)、BOM配單等需求，請(qǐng)加客服微信：13310830171。