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Vishay最近推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8 LR封裝的第四代600V E系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。這款Vishay Siliconix的n溝道SiHR080N60E功率MOSFET相較于前代器件，導通電阻降低了27%，導通電阻與柵極電荷乘積（即600V MOSFET在功率轉換應用中的FOM）下降了60%，額定電流高于D2PAK封裝器件，同時減小了占位面積。
Vishay的豐富MOSFET技術全面支持功率轉換過程，涵蓋了各種需要高壓輸入到低壓輸出的先進高科技設備。SiHR080N60E的推出，以及其他第四代600V E系列器件的發布，使得Vishay能夠在電源系統架構設計初期滿足提高能效和功率密度的雙重需求，包括功率因數校正（PFC）和后續的DC/DC轉換器磚式電源。典型應用包括服務器、邊緣計算、超級計算機、數據存儲、UPS、HID燈和熒光鎮流器、通信SMPS、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動，以及電池充電器。
SiHR080N60E采用小型PowerPAK 8 x 8 LR封裝，外形尺寸為10.42mm x 8mm x 1.65mm，占位面積比D2PAK封裝減小了50.8%，高度降低了66%。由于封裝采用頂側冷卻，具有出色的熱性能，結殼（漏極）熱阻僅為0.25°C/W。在相同導通電阻下，額定電流比D2PAK封裝高46%，從而顯著提高功率密度。此外，封裝的鷗翼引線結構具有優異的溫度循環性能。
SiHR080N60E采用Vishay先進的高能效E系列超級結技術，10V下典型導通電阻僅為0.074Ω，超低柵極電荷下降到42nC。器件的FOM為3.1Ω*nC，達到業內先進水平，這些性能參數意味著降低了傳導和開關損耗，從而實現節能并提高2kW以上電源系統的效率。此外，封裝還提供開爾文（Kelvin）連接，以提高開關效率。
該器件符合RoHS標準，無鹵素，耐受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100%通過UIS測試。如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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