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近日，意法半導體（ST）宣布推出一項基于18納米全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）技術并整合嵌入式相變存儲器（ePCM）的先進制造工藝，旨在支持下一代嵌入式處理器的升級進化。這一創新工藝是意法半導體與三星晶圓代工廠共同開發的，旨在實現嵌入式處理應用性能和功耗的巨大飛躍，同時能夠集成更大容量的存儲器和更多模擬和數字外設。首款基于這一新技術的下一代STM32微控制器產品將于2024年下半年開始向部分客戶提供樣品，預計2025年下半年將進行量產。
Remi El-Ouazzane，意法半導體微控制器、數字IC和射頻產品部總裁表示：“作為半導體行業的創新領軍企業，意法半導體率先推出汽車級和航天級FD-SOI和PCM技術，讓工業應用開發者也能享受到這些先進技術帶來的諸多好處。”
技術優勢方面，18納米FD-SOI制造工藝集成ePCM相較于目前使用的ST 40nm嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術，帶來了以下關鍵優勢：
1. 性能功耗比提高50%以上；
2. 非易失性存儲器（NVM）密度是現有技術的2.5倍，可實現更大容量的存儲器集成；
3. 數字電路密度是現有技術的三倍，可集成人工智能、圖形加速器等數字外設，以及先進的安全保護功能；4. 噪聲系數改善3dB，增強了無線MCU的射頻性能。
該工藝的工作電源電壓為3V，可為電源管理、復位系統、時鐘源和數字/模擬轉換器等模擬功能供電，是20納米以下唯一支持此功能的半導體工藝技術。此外，該技術經過汽車市場驗證，具有耐高溫工作、輻射硬化和數據保存期限長的特點，能夠滿足工業應用對可靠性的嚴格要求。
這一具有成本競爭力的技術將為開發人員帶來新型高性能、低功耗、無線MCU。大存儲容量將支持市場對邊緣人工智能處理、多射頻協議棧、無線更新和高級安全功能的不斷增長需求。高處理性能和大存儲容量將鼓勵開發者轉向集成度更高、成本效益更高的微控制器。首款基于該技術的微控制器將集成ARM最先進的Cortex-M內核，為機器學習和數字信號處理應用提供更強大的運算性能，并具備快速、靈活的外部存儲器接口、先進的圖形功能以及眾多模擬和數字外設。如需采購意法半導體微控制器等產品、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
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