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近日，英飛凌(Infineon)發布了全新的CoolSiC? G2碳化硅MOSFET技術，為功率系統和能量轉換開啟了全新篇章。這一新一代技術在確保質量和可靠性的基礎上，將MOSFET的關鍵性能指標提高了20%，包括能量和電荷儲量，從而提升了整體能效，推動了低碳化進程。
CoolSiC? G2技術繼續發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗提高功率轉換效率，為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等領域帶來了巨大優勢。采用CoolSiC? G2的電動汽車直流快速充電站可減少10%的功率損耗，實現更高的充電功率而不增加外形尺寸。此外，基于CoolSiC? G2器件的牽引逆變器還可增加電動汽車的續航里程。在可再生能源領域，CoolSiC? G2的太陽能逆變器不僅保持高功率輸出，還實現更小尺寸，降低每瓦成本。
英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer博士表示，采用高效新技術產生、傳輸和消耗能量是當前大趨勢。CoolSiC? MOSFET G2技術將碳化硅性能提升到新水平，使廠商能夠設計出成本更低、結構更緊湊、性能更可靠、效率更高的系統，減少每瓦二氧化碳排放，持續推動工業、消費、汽車領域的低碳化和數字化創新。
英飛凌的CoolSiC? MOSFET溝槽柵技術為高性能CoolSiC? G2解決方案的發展鋪平道路，提供更優化的設計選擇，具有更高效率和可靠性。結合.XT封裝技術，英飛凌進一步提升了基于CoolSiC? G2的設計潛力，提供更高導熱性、更優封裝控制和更出色性能。
英飛凌憑借對硅、碳化硅和氮化鎵(GaN)等關鍵功率技術的掌握，提供靈活設計和領先應用知識，滿足現代設計的需求。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料的創新半導體已成為能源高效利用的關鍵，在推動低碳化進程中發揮著重要作用。
近日，英飛凌推出全新基于CoolSiC? 400V SiC MOSFET的3L-ANPC拓撲虛擬評估板（EVAL_10KW_3LANPC_SIC），為工程師和研究人員提供了一套完整的三電平逆變器系統設計參考。該方案采用先進的碳化硅功率器件與優化的PCB布局，面向工業電機驅動、光伏組串逆變器等高效率、高功率密度應用場景...【詳情+】
在當前家電系統向高能效、智能化演進的趨勢下，空調外機控制系統對功率因數校正（PFC）和雙電機變頻控制提出了更高要求。代理銷售英飛凌旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您介紹了一種基于英飛凌PSoC? Control C3控制器的空調外機解決方案，集成了高頻PFC、壓縮機與風機雙電機驅動...【詳情+】
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