近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）在APEC上展示產(chǎn)品創(chuàng)新，宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應(yīng)用。這些新產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100V應(yīng)用專用MOSFET（ASFET），采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性（EMC）的40V NextPowerS3 MOSFET。

PoE交換機(jī)通常擁有多達(dá)48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護(hù)。單個PCB上可能有多達(dá)96個MOSFET，因此小型化器件封裝尺寸的解決方案具有很好的吸引力。

為了應(yīng)對這一需求，Nexperia發(fā)布了采用2mm x 2mm DFN2020封裝的100V PoE ASFET，相較于之前采用LFPAK33封裝的版本，新產(chǎn)品占用的空間減少了60%。這些器件的一個關(guān)鍵功能是通過限制浪涌電流來保護(hù)PoE端口，同時安全地管理故障情況。為了應(yīng)對這種情況，Nexperia將這些器件的安全工作區(qū)（SOA）增強(qiáng)了3倍，同時RDS(on)只有微小增幅。這些ASFET還適用于電池管理、Wi-Fi熱點(diǎn)、5G微微蜂窩和閉路電視應(yīng)用，并且可以替代智能恒溫器中的機(jī)械式繼電器等。

由MOSFET開關(guān)引起的EMC相關(guān)問題通常出現(xiàn)在產(chǎn)品開發(fā)周期的后期，解決這些問題可能會產(chǎn)生額外的研發(fā)成本并延遲市場發(fā)布。Nexperia優(yōu)化了其40V NextPowerS3 MOSFET，以提供與使用外部緩沖器電路可實(shí)現(xiàn)的相似的EMC性能，同時還提供更高的效率。這些MOSFET采用LFPAK56封裝，適用于各種應(yīng)用的開關(guān)轉(zhuǎn)換器和電機(jī)控制器。

Nexperia MOSFET營銷和產(chǎn)品部總監(jiān)Chris Boyce表示：“通過在APEC 2024上推出我們的分立式FET解決方案的最新產(chǎn)品系列，Nexperia展示了我們?nèi)绾卫梦覀儗I(yè)的研發(fā)知識來提供優(yōu)化的解決方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改進(jìn)的EMC性能都表明了我們堅定支持工程師克服各種應(yīng)用挑戰(zhàn)的決心。這些創(chuàng)新凸顯了Nexperia致力于提供高效、緊湊和可靠的解決方案，幫助我們的客戶在當(dāng)今不斷發(fā)展的市場中取得成功。”如需采購Nexperia電子元器件、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。