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Alpha & Omega Semiconductor Limited (AOS)最近發布了適用于服務器、太陽能逆變器、電動汽車充電和工業電力等各類電源應用的αMOS5 高壓 FRD（快恢復二極管）MOSFET 器件AOK095A60FD 和 AOTF125A60FDL。這兩款器件具有額定耐壓為600 V，導通電阻的最大值分別為95 mΩ和125 mΩ，可有效地減少高壓開關電源轉換應用中的導通損耗。它們是基于AOS獨有的αMOS5超結高壓技術平臺，特別設計以實現易用性和穩健性，滿足高開關速度運行的功率密集型應用需求。
現代中高功率開關電源和逆變器系統的設計具有更高的效率和功率密度，同時兼顧整體方案的成本或可靠性。AOS的高壓超結MOSFET適用于一系列開關模式功率轉換拓撲，包括單相、交錯、雙升壓、CrCM TP PFC、LLC、PSFB、多級NPC/ANPC等拓撲的主要選擇。
在其他應用中，PSFB DC-DC轉換拓撲通常用于電信設備電源系統應用，其中需要隔離較高電壓（400 V 或更高）并降壓至標準48 V負載點總線電壓。電流或電壓模式控制方案可用于實現PSFB或其他拓撲，并使用零電壓開關(ZVS)和同步整流技術最大限度地提高電源轉換效率。
在MOSFET結構中，漏極端子和源極端子之間形成PN接面，即體二極管。在正常工作期間，體二極管充當阻斷二極管，防止電流從漏極流向源極。然而，在某些應用場景下，體二極管會操作在正向偏置導通電流的工作區間。系統短路或啟動瞬間等工況下，MOSFET會連續操作在間歇性的正向偏置與反向偏置換向。為了MOSFET應用的穩健性，其體二極管必須能在正向偏置時導通電流，并在反向偏置時迅速阻斷電流，且需要承受快速且間歇性的正向與反向的換向電壓應力而不造成損壞。αMOS5 FRD MOSFET的體二極管經過優化設計，使其不僅降低了反向恢復電荷(Qrr)，并且能夠承受更高速(di/dt)的正向與反向的換向應力。
除了傳統的單向電源拓撲以外，AOK095A60FD和AOTF125A60FDL非常適合用在雙向轉換功率的電源拓撲中。全球電源業務及高壓產品線資深市場總監Richard Zhang表示，隨著逆變器與儲能市場增長趨勢，高壓電池組越來越廣泛地應用在交流耦合的儲能系統中，AOK095A60FD和AOTF125A60FDL將成為雙向PFC逆變器和DC-DC轉換器的領先解決方案，用于大型蓄電池的電源系統。如需數據手冊、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
在AI服務器、數據中心、工業自動化等對可靠性要求極高的系統中，電源保護是保障設備穩定運行的關鍵環節。AOS推出的eFuse系列產品將熱插拔控制器與功率MOSFET高度集成于單一封裝中，具備多重關鍵保護機制，包括過流（OCP）、過壓（OVP）、欠壓（UVLO）、浪涌電流控制、反向電流阻斷、短路保護和...【詳情+】
近日，全球領先的功率半導體及芯片解決方案提供商Alpha and Omega Semiconductor （AOS）發布了其最新的MOSFET產品——AONK40202。這款采用DFN3.3x3.3源極朝下（Source Down）封裝技術的25V MOSFET，特別針對高功率密度DC-DC應用進行了優化，旨在滿足AI服務器和數據中心電源系統的嚴格要求...【詳情+】
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