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安森美（onsemi）最近推出了一系列新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，旨在助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計和能源儲存方案。這些新產(chǎn)品包括全新第7代1200V IGBT、儲能系統(tǒng)方案、首次精確仿真工具、150V N溝道MOSFET屏蔽柵PowerTrench以及IGBT模塊 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT。這些產(chǎn)品的推出將為能源儲存和系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域帶來新的技術(shù)突破和解決方案。
安森美的全新FS7 S系列1200V IGBT采用了新穎的場截止第7代IGBT和二極管技術(shù)，具有領(lǐng)先的開關(guān)性能和低VF，可在高溫環(huán)境下工作，降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，為客戶的系統(tǒng)設(shè)計提供更高的能效。此外，安森美還推出了150V N溝道MOSFET屏蔽柵PowerTrench，通過降低導(dǎo)通電阻和Qrr，保持良好的開關(guān)性能。另外，公司還提供了IGBT模塊 A-Type NPC 1000V, 800A IGBT，這將為客戶的系統(tǒng)設(shè)計提供更多的選擇和靈活性。
針對儲能系統(tǒng)方案，安森美提供了一系列技巧和工具，幫助客戶了解電池儲能系統(tǒng)的設(shè)計挑戰(zhàn)和考慮因素，以及選擇最適合其要求的電源轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體器件的技巧。此外，公司還推出了首次精確仿真工具Elite Power Simulator，通過對復(fù)雜電力電子應(yīng)用進(jìn)行系統(tǒng)級仿真，為工程師提供有價值的參考信息。
安森美的這些新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品將為客戶的系統(tǒng)設(shè)計和能源儲存方案帶來更多的選擇和技術(shù)支持，助力客戶實現(xiàn)更高的能效和更可靠的系統(tǒng)性能。如需采購、申請樣片測試、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
在近日召開的行業(yè)峰會上，安森美半導(dǎo)體電源方案事業(yè)群副總裁兼首席技術(shù)官Pavel Freundlich博士榮獲2025年度終身成就獎，以表彰其在汽車與工業(yè)電源轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域所做出的深遠(yuǎn)貢獻(xiàn)。這一榮譽不僅彰顯了Freundlich博士個人在功率電子領(lǐng)域的卓越影響力，也再次印證了安森美在全球功率半...【詳情+】
在全球電氣化趨勢和人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，市場對高能效功率器件的需求正以前所未有的速度增長。為滿足這一需求，安森美近日推出了其基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列，旨在通過創(chuàng)新解決方案降低能耗及整體系統(tǒng)成本。安森...【詳情+】
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