在如今便攜式設備繁榮發展的時代，如何制造出更為小巧、高性能以及更為安全的設備，成為了擺在各大廠商面前的難題。而這個問題的答案，或許就隱藏在Alpha and Omega Semiconductor（AOS）的最新技術——MRigidCSP之中。

AOS的MRigidCSP技術是一種專為電池管理應用而生的創新技術，主要應用于AOCR33105E這款產品上。AOCR33105E是一款12V共漏極雙N溝道MOSFET，其獨特的緊湊型設計（2.08×1.45mm）和超低的導通電阻（VGS=3.8V時低至2.5mΩ）使其在電池管理應用中表現出色。更為值得一提的是，它還具有HBM class 2(2kV)的超強ESD保護特性，能夠在嚴苛的環境中保持穩定的性能。

與傳統晶圓級芯片封裝不同，MRigidCSP技術將機械應力和電氣特性兩種性能分開來考慮，使得兩者都同時達到最優的性能。AOS MOSFET 產品線資深市場總監Peter Wilson在接受采訪時表示：“AOS的MRigidCSP技術是一種面向鋰電池應用管理的雙向MOSFET創新型技術，適用于智能手機、平板電腦和超薄筆記本電腦等移動設備。”

AOS的MRigidCSP技術采用了薄晶圓工藝，降低了共漏MOSFET的寄生電阻，從而提高了充電速度，減少了額外熱量的產生，避免了損壞電池和其他元件。這種封裝技術滿足了快速充電的應用中對于輕量化、高性能、雙向MOSFET的持續增長的需求，將機械應力性能與電氣性能分離，從而獲得最好的效果。

在手機和筆記本電腦等消費電子體系中，保護電路模塊(PCM)作為關鍵組件被用于管理鋰離子電池組的充電和放電。PCM由電池保護IC、功率MOSFET等其他電子元件組成。在PCM中采用了兩個功率MOSFET：一個用于充電，另一個用于放電。出于降低導通電阻的考慮，這些MOSFET通常選用N溝道MOSFET。兩個MOSFET可以兩種方式串聯：

配置1：兩個MOSFET的漏極相連

配置2：兩個MOSFET的源極相連

PCM 提供兩種功率MOSFET與電池串聯的選擇：

低端放置：功率MOSFETs位于電池的負極，通常稱為“電線接地端”。優缺點兼具，取決于實際系統要求。

高端放置：功率MOSFETs位于電池的正極，這稱為“高邊”配置。優缺點兼具，取決于實際系統要求不同的功率MOSFET背靠背連接模式以及布局方式的選擇，需要根據系統的具體要求而決定，系統設計、安全考慮和能效目標等因素都將影響設計方案。總之，PCM是確保消費電子產品中鋰離子電池組正常工作并提供保護的關鍵部件。

在便攜式設備中，電池管理是一個重要的環節。傳統的 WLCSP會產生較大電阻，尤其是在使用背靠背 MOSFET時。單純為降低電阻而減小襯底厚度可能會影響機械強度，從而PCB組裝回流焊過程中產生問題。AOS 的MRigidCSP技術專門面向這類問題設計，可同時提高電氣性能和封裝魯棒性。它兼容高深寬比 CSP裸片，解決了與電池管理應用相關的生產問題。AOCR33105E 采用最新溝槽功率MOSFET技術設計，這種先進的封裝結構可確保高強度的電池 MOSFET 在電路板制造過程中保持一定彈性，從而提高性能及可靠性。

通過采用薄晶圓工藝，MRigidCSP降低了共漏MOSFET的寄生電阻。電阻的降低不僅能提高充電速度，還能確保MOSFET產生更少額外熱量，從而避免損壞電池和其他元件。較低的電阻可延長電池在兩次充電之間的續航時間，這對消費者來說是一個極大的福音。因此，AOS的MRigidCSP技術無疑為便攜式設備的電池管理提供了一種高效、安全的解決方案。

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