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NCP5181DR2G是一款高電壓功率Mosfet 驅動器，提供兩種輸出，用于半橋配置（或任何其他高壓側+ 低壓側配置）的2 個N 溝道功率MOSFET 的直接驅動。它使用自舉技術來確保高壓側電源開關的正確驅動。該驅動器使用2 個獨立輸入可適應任何拓撲結構（包括半橋、不對稱半橋、有源鉗位和全橋）。代理銷售onsemi(安森美)旗下全系列IC電子元器件-中芯巨能為您提供NCP5181DR2G產品中文介紹。
原廠優勢渠道，一手貨源、不怕比價、承諾原廠原裝正品、一片起訂，極具競爭力的價格，歡迎貿易商和終端客戶詢價，客服微信： 13310830171。24小時采購熱線：133-1083-0171。為終端客戶提供選型指導+樣片測試+數據手冊+技術支持+方案開發等服務。
高電壓范圍：高達 600 V
dV/dt 抗擾度 50 V/nsec
柵極驅動電源范圍為 10V 至 20V
高和低 DRV 輸出
輸出源/灌電流能力 1.1 A / 2.4 A
3.3V 和 5V 輸入邏輯兼容
輸入引腳上高達 Vcc 的擺幅
兩個通道之間匹配的傳播延遲
輸出與輸入同相
獨立邏輯輸入可適應所有拓撲
兩個通道均處于 VCC 鎖定 (UVLO) 狀態
與 IR2181(S) 引腳對引腳兼容
點擊了解NCP5181DR2G中文參數及現貨。
用于 UPS 系統的橋式逆變器
高功率能源管理
半橋電源轉換器
全橋轉換器
任何互補驅動轉換器（非對稱半橋、有源鉗位）
如需產品規格書、樣片測試、采購、BOM配單等需求，請加客服微信：13310830171。
歷經“千難萬苦”，SiC完成了從原料一步步轉化為高性能電子器件的全鏈條生產工藝之旅。在這個過程中，我們發現要想真正實現產業鏈效能最大化并構筑堅固競爭優勢的核心策略，并非僅僅局限于單一生產環節的優化，而在于實施從晶體生長到晶圓制造再到成品封裝三位一體的垂直整合。真正垂...【詳情+】
在電動汽車市場迅猛發展的當下，安森美公司憑借其前瞻性的戰略眼光，近年來在碳化硅領域進行了廣泛的布局與投資。這一決策基于公司對未來市場的深刻洞察：電動汽車市場將全面擁抱碳化硅這一高性能材料。當前，雖然整車市場仍以IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)為主流，但技術的不斷進步正在催...【詳情+】
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